ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005P-2610-W-T1

RG1005P-2610-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5627

წინააღმდეგობა: 261 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1871-P-T1

RG1005P-1871-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5497

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2151-P-T1

RG1005N-2151-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5408

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2371-P-T1

RG1005N-2371-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5385

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-183-B-T1

RG1005N-183-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5927

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-2800-B-T1

RG1005V-2800-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5803

წინააღმდეგობა: 280 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1820-W-T1

RG1005P-1820-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4595

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-1R8-G

RP2012T-1R8-G

ნაწილი საფონდო: 5182

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2322-W-T1

RG1005P-2322-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5786

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-111-B-T1

RG1005V-111-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5764

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-8660-P-T1

RG1005N-8660-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5377

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1431-W-T1

RG1005P-1431-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5615

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-331-P-T1

RG1005P-331-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5354

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1741-P-T1

RG1005N-1741-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5396

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4640-W-T1

RG1005P-4640-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5621

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-332-W-T1

RG1005P-332-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5485

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1181-W-T1

RG1005P-1181-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5603

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-113-B-T1

RG1005N-113-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5902

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4320-P-T1

RG1005P-4320-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5467

წინააღმდეგობა: 432 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-6040-P-T1

RG1005N-6040-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5326

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-2940-B-T1

RG1005V-2940-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4657

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2671-W-T1

RG1005P-2671-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4574

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-6980-B-T1

RG1005V-6980-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5856

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-2611-B-T1

RG1005V-2611-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5885

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2490-W-T1

RG1005P-2490-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5583

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012S-150-J

RP2012S-150-J

ნაწილი საფონდო: 5303

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-95R3-W-T1

RG1005P-95R3-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5566

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1402-W-T1

RG1005P-1402-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5725

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-511-B-T1

RG1005N-511-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5893

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1070-P-T1

RG1005P-1070-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5443

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1150-P-T1

RG1005N-1150-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5336

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4532-W-T1

RG1005P-4532-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5799

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3650-P-T1

RG1005N-3650-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5347

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-3740-B-T1

RG1005V-3740-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5898

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-821-B-T1

RG1005N-821-B-T1

ნაწილი საფონდო: 7500

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1401-P-T1

RG1005N-1401-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5383

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი