ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005P-5230-W-T1

RG1005P-5230-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5628

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-8060-B-T1

RG1005V-8060-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5878

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9530-W-T1

RG1005P-9530-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4630

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1401-P-T1

RG1005P-1401-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5460

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-511-P-T1

RG1005N-511-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4528

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2432-W-T1

RG1005P-2432-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5793

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9310-P-T1

RG1005P-9310-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5433

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-82R5-W-T1

RG1005P-82R5-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5592

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3090-P-T1

RG1005P-3090-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5456

წინააღმდეგობა: 309 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1130-P-T1

RG1005N-1130-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5252

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5900-W-T1

RG1005P-5900-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5648

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-60R4-W-T1

RG1005P-60R4-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5518

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-8060-W-T1

RG1005P-8060-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5622

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-9090-B-T1

RG1005V-9090-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5871

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6341-W-T1

RG1005P-6341-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5656

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1241-W-T1

RG1005P-1241-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4641

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-8870-P-T1

RG1005P-8870-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5476

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3240-P-T1

RG1005P-3240-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5422

წინააღმდეგობა: 324 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-3R9-J

RP2012T-3R9-J

ნაწილი საფონდო: 5270

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-271-B-T1

RG1005V-271-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5839

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-681-P-T1

RG1005P-681-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5348

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2871-P-T1

RG1005P-2871-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5492

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1330-P-T1

RG1005P-1330-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4622

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-100-G

RP2012T-100-G

ნაწილი საფონდო: 4589

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1870-P-T1

RG1005P-1870-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5439

წინააღმდეგობა: 187 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-563-W-T1

RG1005P-563-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4637

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-820-B-T1

RG1005N-820-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5901

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-7320-P-T1

RG1005P-7320-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5427

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-112-W-T1

RG1005P-112-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5518

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-4120-P-T1

RG1005N-4120-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4600

წინააღმდეგობა: 412 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-511-P-T1

RG1005P-511-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5371

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2431-P-T1

RG1005N-2431-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4568

წინააღმდეგობა: 2.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3650-P-T1

RG1005P-3650-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5403

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-122-W-T1

RG1005P-122-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5553

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1270-B-T1

RG1005V-1270-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5774

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-7321-W-T1

RG1005P-7321-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5748

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი