ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005N-561-B-T1

RG1005N-561-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5891

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-301-W-T1

RG1005P-301-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5491

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1020-P-T1

RG1005P-1020-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5412

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-8060-P-T1

RG1005N-8060-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5359

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1780-P-T1

RG1005P-1780-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5404

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4120-P-T1

RG1005P-4120-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5443

წინააღმდეგობა: 412 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-333-W-T1

RG1005P-333-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5584

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2152-W-T1

RG1005P-2152-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5778

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-131-P-T1

RG1005P-131-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5340

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1271-P-T1

RG1005N-1271-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5403

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2431-W-T1

RG1005P-2431-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5632

წინააღმდეგობა: 2.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1180-W-T1

RG1005P-1180-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4571

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-113-W-T1

RG1005P-113-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5545

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6192-W-T1

RG1005P-6192-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4590

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6652-W-T1

RG1005P-6652-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5822

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2050-P-T1

RG1005N-2050-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5346

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2941-P-T1

RG1005P-2941-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5504

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-151-B-T1

RG1005V-151-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5788

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-561-W-T1

RG1005P-561-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5542

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-911-P-T1

RG1005P-911-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5411

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-181-P-T1

RG1005P-181-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5425

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1400-P-T1

RG1005P-1400-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5442

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-7870-P-T1

RG1005N-7870-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5311

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-331-W-T1

RG1005P-331-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5468

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2870-P-T1

RG1005N-2870-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5302

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-73R2-W-T1

RG1005P-73R2-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4612

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-78R7-W-T1

RG1005P-78R7-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5569

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4121-W-T1

RG1005P-4121-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5698

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1651-P-T1

RG1005P-1651-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5465

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1152-W-T1

RG1005P-1152-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5740

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2941-W-T1

RG1005P-2941-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5722

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-102-W-T1

RG1005P-102-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5513

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R18-G

RP2012T-R18-G

ნაწილი საფონდო: 5248

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9311-W-T1

RG1005P-9311-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5708

წინააღმდეგობა: 9.31 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-5110-P-T1

RG1005N-5110-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4618

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1270-W-T1

RG1005P-1270-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4567

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი