რეზისტორული ქსელები, მასივები

RM3216B-104/304-NWWP10

RM3216B-104/304-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33308

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 300k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/303-NWWP10

RM3216B-103/303-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33216

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/102-NWXL10

RM3216B-102/102-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 33241

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216F-N50

RM3216F-N50

ნაწილი საფონდო: 25344

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 500, 3.02k, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/202-NWWP10

RM3216B-102/202-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33298

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-104/104-NWXL10

RM3216B-104/104-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 33232

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/302-NWWP10

RM3216B-102/302-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33285

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-104/204-NWWP10

RM3216B-104/204-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33262

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/103-NWXL10

RM3216B-103/103-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 33214

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/203-NWWP10

RM3216B-103/203-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 33276

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/102-NWXL10

RM2012B-102/102-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 36356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/203-NWWP10

RM2012B-103/203-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36418

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/103-NWXL10

RM2012B-103/103-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 36403

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/903-VBXW10

RM2012B-103/903-VBXW10

ნაწილი საფონდო: 37287

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 90k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-104/204-NWWP10

RM2012B-104/204-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36401

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-104/104-NWXL10

RM2012B-104/104-NWXL10

ნაწილი საფონდო: 36343

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/303-NWWP10

RM2012B-103/303-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36416

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-104/304-NWWP10

RM2012B-104/304-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 300k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/202-NWWP10

RM2012B-102/202-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36352

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/302-NWWP10

RM2012B-102/302-NWWP10

ნაწილი საფონდო: 36332

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/103-PBXW10

RM3216B-103/103-PBXW10

ნაწილი საფონდო: 59650

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-212/492-N48

RM3216B-212/492-N48

ნაწილი საფონდო: 36368

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.1k, 4.9k, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/303-PBWW10

RM3216B-103/303-PBWW10

ნაწილი საფონდო: 74545

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-104/304-PBVW10

RM3216A-104/304-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131107

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 300k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-103/303-PBVW10

RM3216A-103/303-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131127

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-202/203-PBVW10

RM2012B-202/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131105

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-502/104-PBVW10

RM3216A-502/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131184

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/503-PBVW10

RM2012B-103/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131109

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/502-PBVW10

RM2012B-102/502-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/103-PBVW10

RM2012B-102/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131177

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/903-PBVW10

RM2012A-103/903-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131139

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 90k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-102/202-PBVW10

RM2012A-102/202-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131104

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/302-PBVW10

RM2012B-102/302-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/603-PBVW10

RM3216B-103/603-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 165

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 60k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-103/903-PBVW10

RM3216A-103/903-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131123

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 90k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/502-PBVW10

RM3216B-102/502-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი