რეზისტორული ქსელები, მასივები

RM3216B-102/402-PBVW10

RM3216B-102/402-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131131

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 4k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/202-PBVW10

RM3216B-102/202-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/202-PBVW10

RM2012B-102/202-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 2k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/203-PBVW10

RM2012A-103/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131186

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/603-PBVW10

RM2012B-103/603-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131171

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 60k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/103-PBVW10

RM3216B-103/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/253-PBVW10

RM2012B-102/253-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/303-PBVW10

RM3216B-103/303-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131151

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-104/104-PBVW10

RM3216A-104/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131146

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-202/104-PBVW10

RM2012B-202/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131125

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-102/102-PBVW10

RM2012A-102/102-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131108

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/303-PBVW10

RM2012A-103/303-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131165

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/903-PBVW10

RM3216B-103/903-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131126

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 90k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/902-PBVW10

RM3216A-102/902-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131179

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/253-PBVW10

RM3216B-102/253-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131186

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 25k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-502/104-PBVW10

RM2012A-502/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131108

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 5k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-104/104-PBVW10

RM3216B-104/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131151

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/203-PBVW10

RM3216A-102/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131133

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-103/603-PBVW10

RM3216A-103/603-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131117

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 60k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/503-PBVW10

RM3216B-103/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/602-PBVW10

RM3216B-102/602-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131114

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 6k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-202/503-PBVW10

RM3216A-202/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131131

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-104/104-PBVW10

RM2012A-104/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131101

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/403-PBVW10

RM2012A-103/403-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131178

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 40k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-202/203-PBVW10

RM3216B-202/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131178

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/902-PBVW10

RM2012B-102/902-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131145

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/902-PBVW10

RM3216B-102/902-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 9k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-202/503-PBVW10

RM2012A-202/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131163

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-202/104-PBVW10

RM3216A-202/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131141

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი