რეზისტორული ქსელები, მასივები

RM3216B-102/302-PBVW10

RM3216B-102/302-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131091

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/503-PBVW10

RM2012B-102/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131186

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/203-PBVW10

RM3216B-103/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131140

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-202/204-PBVW10

RM3216B-202/204-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131182

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/602-PBVW10

RM3216A-102/602-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131142

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 6k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/302-PBVW10

RM3216A-102/302-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131152

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 3k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-202/204-PBVW10

RM3216A-202/204-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131181

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/102-PBVW10

RM2012B-102/102-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131134

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-102/503-PBVW10

RM2012A-102/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131183

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-202/103-PBVW10

RM3216B-202/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131141

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-202/104-PBVW10

RM3216B-202/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131144

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-202/203-PBVW10

RM3216A-202/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131161

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-102/203-PBVW10

RM3216B-102/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131105

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/503-PBVW10

RM3216A-102/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131112

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-202/104-PBVW10

RM2012A-202/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131153

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-202/403-PBVW10

RM3216B-202/403-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131146

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 40k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-103/403-PBVW10

RM3216B-103/403-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131136

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 40k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/104-PBVW10

RM2012B-102/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216B-104/204-PBVW10

RM3216B-104/204-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131187

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-202/103-PBVW10

RM2012B-202/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131164

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/903-PBVW10

RM2012B-103/903-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131123

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 90k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/104-PBVW10

RM2012A-103/104-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131124

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 100k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/402-PBVW10

RM3216A-102/402-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131124

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 4k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-202/103-PBVW10

RM2012A-202/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131123

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-104/204-PBVW10

RM3216A-104/204-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131175

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, 200k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-202/103-PBVW10

RM3216A-202/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131186

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-102/502-PBVW10

RM2012A-102/502-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131111

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/103-PBVW10

RM2012B-103/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-103/503-PBVW10

RM2012A-103/503-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131119

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 50k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/303-PBVW10

RM2012B-103/303-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 30k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-202/403-PBVW10

RM2012A-202/403-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131152

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, 40k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012A-102/602-PBVW10

RM2012A-102/602-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131103

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 6k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-102/203-PBVW10

RM2012B-102/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131128

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-103/103-PBVW10

RM3216A-103/103-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131145

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM3216A-102/502-PBVW10

RM3216A-102/502-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131096

სქემის ტიპი: Voltage Divider, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 5k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
RM2012B-103/203-PBVW10

RM2012B-103/203-PBVW10

ნაწილი საფონდო: 131185

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, 20k, ტოლერანტობა: ±0.1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი