ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005P-6340-P-T1

RG1005P-6340-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5459

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R15-G

RP2012T-R15-G

ნაწილი საფონდო: 5221

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-391-P-T1

RG1005P-391-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5352

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-361-P-T1

RG1005N-361-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5288

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-203-W-T1

RG1005P-203-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5575

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1331-W-T1

RG1005P-1331-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5635

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1620-W-T1

RG1005P-1620-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5612

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9532-W-T1

RG1005P-9532-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5793

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2670-W-T1

RG1005P-2670-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5586

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1330-W-T1

RG1005P-1330-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5602

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-272-B-T1

RG1005N-272-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5885

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1691-P-T1

RG1005P-1691-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5501

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-151-P-T1

RG1005P-151-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5351

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-821-W-T1

RG1005P-821-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5481

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3570-P-T1

RG1005N-3570-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5319

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2101-P-T1

RG1005N-2101-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5360

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1820-B-T1

RG1005V-1820-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5830

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5112-W-T1

RG1005P-5112-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5810

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-2261-B-T1

RG1005V-2261-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5852

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-1R2-G

RP2012T-1R2-G

ნაწილი საფონდო: 5259

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-112-P-T1

RG1005P-112-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5363

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-8872-W-T1

RG1005P-8872-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5761

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-361-P-T1

RG1005P-361-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4611

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3740-W-T1

RG1005P-3740-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5588

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6982-W-T1

RG1005P-6982-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5829

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3320-P-T1

RG1005N-3320-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5360

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-131-W-T1

RG1005P-131-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5500

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6190-W-T1

RG1005P-6190-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5613

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012S-330-G

RP2012S-330-G

ნაწილი საფონდო: 5260

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R47-G

RP2012T-R47-G

ნაწილი საფონდო: 5228

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4642-W-T1

RG1005P-4642-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5818

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6190-P-T1

RG1005P-6190-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5479

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1271-B-T1

RG1005V-1271-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5898

წინააღმდეგობა: 1.27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1151-P-T1

RG1005P-1151-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5456

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-8250-B-T1

RG1005V-8250-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4673

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R33-J

RP2012T-R33-J

ნაწილი საფონდო: 5195

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი