ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005N-510-B-T1

RG1005N-510-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5859

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-621-P-T1

RG1005N-621-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5252

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-3160-B-T1

RG1005V-3160-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5829

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5232-W-T1

RG1005P-5232-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5786

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2210-P-T1

RG1005N-2210-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5284

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RP2012S-680-G

RP2012S-680-G

ნაწილი საფონდო: 5293

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-162-W-T1

RG1005P-162-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5529

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1330-P-T1

RG1005N-1330-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5254

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1540-B-T1

RG1005V-1540-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5832

წინააღმდეგობა: 154 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6040-P-T1

RG1005P-6040-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5506

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-222-W-T1

RG1005P-222-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5532

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1430-W-T1

RG1005P-1430-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5634

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-242-P-T1

RG1005N-242-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5253

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-913-W-T1

RG1005P-913-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5581

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2100-W-T1

RG1005P-2100-W-T1

ნაწილი საფონდო: 4624

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-471-B-T1

RG1005N-471-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5966

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R12-G

RP2012T-R12-G

ნაწილი საფონდო: 5216

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RP2012S-101-G

RP2012S-101-G

ნაწილი საფონდო: 5252

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-912-B-T1

RG1005N-912-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5934

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-80R6-W-T1

RG1005P-80R6-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5589

წინააღმდეგობა: 80.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1580-W-T1

RG1005P-1580-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5638

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5360-W-T1

RG1005P-5360-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5660

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1400-W-T1

RG1005P-1400-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5564

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-4750-P-T1

RG1005P-4750-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5413

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3830-P-T1

RG1005N-3830-P-T1

ნაწილი საფონდო: 4566

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2370-W-T1

RG1005P-2370-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5605

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1740-B-T1

RG1005V-1740-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5831

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1910-P-T1

RG1005N-1910-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5291

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6342-W-T1

RG1005P-6342-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5743

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-203-B-T1

RG1005N-203-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4651

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-9310-P-T1

RG1005N-9310-P-T1

ნაწილი საფონდო: 5312

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.02%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-3651-W-T1

RG1005P-3651-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5721

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RP2012T-R33-G

RP2012T-R33-G

ნაწილი საფონდო: 5225

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Metal Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +350ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2210-W-T1

RG1005P-2210-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5619

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-161-B-T1

RG1005N-161-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5952

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2491-W-T1

RG1005P-2491-W-T1

ნაწილი საფონდო: 5647

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი