ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

SM2615BT8R00

SM2615BT8R00

ნაწილი საფონდო: 89053

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY10K0

RNCF0805TKY10K0

ნაწილი საფონდო: 84188

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM4124BT1R00

SM4124BT1R00

ნაწილი საფონდო: 90236

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding,

სასურველი
SM2615BT5R62

SM2615BT5R62

ნაწილი საფონდო: 89024

წინააღმდეგობა: 5.62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM8035FTR500

SM8035FTR500

ნაწილი საფონდო: 85741

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4124BT442R

SM4124BT442R

ნაწილი საფონდო: 88272

წინააღმდეგობა: 442 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY12K7

RNCF0805TKY12K7

ნაწილი საფონდო: 84171

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY1K00

RNCF0603TKY1K00

ნაწილი საფონდო: 84230

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM2615BT1R50

SM2615BT1R50

ნაწილი საფონდო: 88988

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TTY17K4

RNCF0805TTY17K4

ნაწილი საფონდო: 84205

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM2615BT1R00

SM2615BT1R00

ნაწილი საფონდო: 89077

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY4K99

RNCF0805TKY4K99

ნაწილი საფონდო: 84262

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM2615BT5R00

SM2615BT5R00

ნაწილი საფონდო: 89066

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY1K20

RNCF0603TKY1K20

ნაწილი საფონდო: 84189

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY28K7

RNCF0805TKY28K7

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY2K00

RNCF0603TKY2K00

ნაწილი საფონდო: 84197

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM4124BT20R0

SM4124BT20R0

ნაწილი საფონდო: 90222

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM8035FTR100

SM8035FTR100

ნაწილი საფონდო: 85731

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM8035JT3R00

SM8035JT3R00

ნაწილი საფონდო: 87623

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY3K90

RNCF0603TKY3K90

ნაწილი საფონდო: 84253

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTL220K

HVCB0805JTL220K

ნაწილი საფონდო: 81493

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY49R9

RNCF0603TKY49R9

ნაწილი საფონდო: 84241

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM8035JT1R00

SM8035JT1R00

ნაწილი საფონდო: 87666

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY24R9

RNCF0805TKY24R9

ნაწილი საფონდო: 84225

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM8035JT2R00

SM8035JT2R00

ნაწილი საფონდო: 87671

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY1K20

RNCF0805TKY1K20

ნაწილი საფონდო: 84198

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY1K00

RNCF0805TKY1K00

ნაწილი საფონდო: 84199

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY250R

RNCF0603TKY250R

ნაწილი საფონდო: 84255

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM2615BTR100

SM2615BTR100

ნაწილი საფონდო: 89060

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TKY499R

RNCF0805TKY499R

ნაწილი საფონდო: 84247

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0805TTY20K0

RNCF0805TTY20K0

ნაწილი საფონდო: 84240

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTL5M60

HVCB0805JTL5M60

ნაწილი საფონდო: 81508

წინააღმდეგობა: 5.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
SM4124BT30R1

SM4124BT30R1

ნაწილი საფონდო: 90192

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY10K0

RNCF0603TKY10K0

ნაწილი საფონდო: 84203

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM8035JT4R70

SM8035JT4R70

ნაწილი საფონდო: 87660

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKY3K32

RNCF0603TKY3K32

ნაწილი საფონდო: 84265

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი