წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 120 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 400 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 8 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 560 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 300 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1.2 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1.2 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,
