ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RNCF2512TKY10K0

RNCF2512TKY10K0

ნაწილი საფონდო: 58934

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TTY49K9

RNCF2512TTY49K9

ნაწილი საფონდო: 70635

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL150K

HVCB1206JTL150K

ნაწილი საფონდო: 72185

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL820K

HVCB1206JTL820K

ნაწილი საფონდო: 72146

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL10M0

HVCB1206JTL10M0

ნაწილი საფონდო: 72237

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206KTL2M20

HVCB1206KTL2M20

ნაწილი საფონდო: 72215

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL2M00

HVCB1206JTL2M00

ნაწილი საფონდო: 72224

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206KTL820K

HVCB1206KTL820K

ნაწილი საფონდო: 72238

წინააღმდეგობა: 820 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL2M20

HVCB1206JTL2M20

ნაწილი საფონდო: 72153

წინააღმდეგობა: 2.2 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL6M00

HVCB1206JTL6M00

ნაწილი საფონდო: 72238

წინააღმდეგობა: 6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL100K

HVCB1206JTL100K

ნაწილი საფონდო: 72166

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FT46R4

NSM6227FT46R4

ნაწილი საფონდო: 74067

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FT60R4

NSM6227FT60R4

ნაწილი საფონდო: 74075

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FT270R

NSM6227FT270R

ნაწილი საფონდო: 74030

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FT64R9

NSM6227FT64R9

ნაწილი საფონდო: 74072

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTD220K

HVCB0805JTD220K

ნაწილი საფონდო: 72194

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTD510K

HVCB0805JTD510K

ნაწილი საფონდო: 72182

წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY20K0

RNCF1206TKY20K0

ნაწილი საფონდო: 77768

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TTY100R

RNCF1206TTY100R

ნაწილი საფონდო: 77722

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY100R

RNCF1206TKY100R

ნაწილი საფონდო: 77708

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TTY49K9

RNCF1206TTY49K9

ნაწილი საფონდო: 77761

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TTY24K9

RNCF1206TTY24K9

ნაწილი საფონდო: 77785

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TTY3K92

RNCF1206TTY3K92

ნაწილი საფონდო: 77732

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTY1K54

RNCF0603TTY1K54

ნაწილი საფონდო: 84170

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY49R9

RNCF1206TKY49R9

ნაწილი საფონდო: 77752

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FTR332

NSM6227FTR332

ნაწილი საფონდო: 79277

წინააღმდეგობა: 332 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FTR402

NSM6227FTR402

ნაწილი საფონდო: 79286

წინააღმდეგობა: 402 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY3K32

RNCF1206TKY3K32

ნაწილი საფონდო: 77716

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY2K00

RNCF1206TKY2K00

ნაწილი საფონდო: 77774

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402TTY383R

RNCF0402TTY383R

ნაწილი საფონდო: 76529

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402TKY1K15

RNCF0402TKY1K15

ნაწილი საფონდო: 76540

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402TTY392R

RNCF0402TTY392R

ნაწილი საფონდო: 76612

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
NSM6227FTR374

NSM6227FTR374

ნაწილი საფონდო: 79264

წინააღმდეგობა: 374 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTY100R

RNCF0603TTY100R

ნაწილი საფონდო: 84247

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY4K99

RNCF1206TKY4K99

ნაწილი საფონდო: 77701

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206TKY1K20

RNCF1206TKY1K20

ნაწილი საფონდო: 77697

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი