ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB1206KKL10M0

HVCB1206KKL10M0

ნაწილი საფონდო: 59447

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTD300M

HVCB0805JTD300M

ნაწილი საფონდო: 60145

წინააღმდეგობა: 300 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTL500M

HVCB1206JTL500M

ნაწილი საფონდო: 59466

წინააღმდეგობა: 500 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
RNCF1210BTY100R

RNCF1210BTY100R

ნაწილი საფონდო: 62396

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT250R

SM6227BT250R

ნაწილი საფონდო: 64866

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT120R

SM6227BT120R

ნაწილი საფონდო: 64823

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD5K00

HVCB1206JTD5K00

ნაწილი საფონდო: 63149

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT249R

SM6227BT249R

ნაწილი საფონდო: 64875

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT470R

SM6227BT470R

ნაწილი საფონდო: 64833

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD5M10

HVCB1206JTD5M10

ნაწილი საფონდო: 63194

წინააღმდეგობა: 5.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD100K

HVCB1206JTD100K

ნაწილი საფონდო: 63176

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD1M00

HVCB1206JTD1M00

ნაწილი საფონდო: 63210

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD220K

HVCB1206JTD220K

ნაწილი საფონდო: 63185

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD10M0

HVCB1206JTD10M0

ნაწილი საფონდო: 63129

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JTD510K

HVCB1206JTD510K

ნაწილი საფონდო: 63200

წინააღმდეგობა: 510 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT200R

SM6227BT200R

ნაწილი საფონდო: 64877

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BTY49K9

RNCF1206BTY49K9

ნაწილი საფონდო: 66652

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BTY499R

RNCF1206BTY499R

ნაწილი საფონდო: 66719

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BTY4K99

RNCF1206BTY4K99

ნაწილი საფონდო: 66636

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT1R00

SM6227BT1R00

ნაწილი საფონდო: 69522

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HMC1206KT4G70

HMC1206KT4G70

ნაწილი საფონდო: 67431

წინააღმდეგობა: 4.7 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,

სასურველი
HMC1206KT1G00

HMC1206KT1G00

ნაწილი საფონდო: 67373

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
HGCB0603FTC47M0

HGCB0603FTC47M0

ნაწილი საფონდო: 154

წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HMC0805KT1G20

HMC0805KT1G20

ნაწილი საფონდო: 67371

წინააღმდეგობა: 1.2 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,

სასურველი
SM6227BT12R0

SM6227BT12R0

ნაწილი საფონდო: 69550

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
HGCB0603FTC180M

HGCB0603FTC180M

ნაწილი საფონდო: 16566

წინააღმდეგობა: 180 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HMC1206KT10G0

HMC1206KT10G0

ნაწილი საფონდო: 67388

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TKY1K00

RNCF2512TKY1K00

ნაწილი საფონდო: 58958

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TTY10K0

RNCF2512TTY10K0

ნაწილი საფონდო: 70710

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TKY250R

RNCF2512TKY250R

ნაწილი საფონდო: 58946

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805JTD4K70

HVCB0805JTD4K70

ნაწილი საფონდო: 69215

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TTY120R

RNCF2512TTY120R

ნაწილი საფონდო: 70636

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TTY249R

RNCF2512TTY249R

ნაწილი საფონდო: 70712

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TKY100R

RNCF2512TKY100R

ნაწილი საფონდო: 58893

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TKY120R

RNCF2512TKY120R

ნაწილი საფონდო: 58925

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF2512TKY49K9

RNCF2512TKY49K9

ნაწილი საფონდო: 58956

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი