ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB0805JKC220K

HVCB0805JKC220K

ნაწილი საფონდო: 49048

წინააღმდეგობა: 220 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010TKY120R

RNCF2010TKY120R

ნაწილი საფონდო: 58908

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT40L0

CSS4527FT40L0

ნაწილი საფონდო: 54267

წინააღმდეგობა: 40 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT7L00

CSS4527FT7L00

ნაწილი საფონდო: 54316

წინააღმდეგობა: 7 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT30L0

CSS4527FT30L0

ნაწილი საფონდო: 54312

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010TKY182R

RNCF2010TKY182R

ნაწილი საფონდო: 58906

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT1L00

CSS4527FT1L00

ნაწილი საფონდო: 51445

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKC1M00

HVCB2010FKC1M00

ნაწილი საფონდო: 48111

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JDD1K00

HVCB1206JDD1K00

ნაწილი საფონდო: 49399

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010TTY49K9

RNCF2010TTY49K9

ნაწილი საფონდო: 70657

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT10L0

CSS4527FT10L0

ნაწილი საფონდო: 54280

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT25L0

CSS4527FT25L0

ნაწილი საფონდო: 54332

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FTL20M0

HVCB0603FTL20M0

ნაწილი საფონდო: 50007

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT4L00

CSS4527FT4L00

ნაწილი საფონდო: 51466

წინააღმდეგობა: 4 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010TKY10K0

RNCF2010TKY10K0

ნაწილი საფონდო: 58887

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT3L00

CSS4527FT3L00

ნაწილი საფონდო: 51416

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF2010TKY357R

RNCF2010TKY357R

ნაწილი საფონდო: 58876

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
CSS4527FT2L00

CSS4527FT2L00

ნაწილი საფონდო: 51408

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY250R

RNCF1206BKY250R

ნაწილი საფონდო: 154337

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY20K0

RNCF1206BKY20K0

ნაწილი საფონდო: 122343

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY4K99

RNCF1206BKY4K99

ნაწილი საფონდო: 166225

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JKD10M0

HVCB1206JKD10M0

ნაწილი საფონდო: 53192

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY4K25

RNCF1206BKY4K25

ნაწილი საფონდო: 169827

წინააღმდეგობა: 4.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FKL4K99

HVCB0805FKL4K99

ნაწილი საფონდო: 55528

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY569R

RNCF1206BKY569R

ნაწილი საფონდო: 120112

წინააღმდეგობა: 569 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603JTC20M0

HVCB0603JTC20M0

ნაწილი საფონდო: 52614

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY499R

RNCF1206BKY499R

ნაწილი საფონდო: 195329

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JDL500K

HVCB1206JDL500K

ნაწილი საფონდო: 52263

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY1K00

RNCF1206BKY1K00

ნაწილი საფონდო: 163421

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY500R

RNCF1206BKY500R

ნაწილი საფონდო: 190005

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603JTD200M

HVCB0603JTD200M

ნაწილი საფონდო: 51109

წინააღმდეგობა: 200 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY2K50

RNCF1206BKY2K50

ნაწილი საფონდო: 191602

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RNCF1206BKY49K9

RNCF1206BKY49K9

ნაწილი საფონდო: 178630

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206KTC5M00

HVCB1206KTC5M00

ნაწილი საფონდო: 53180

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603JTD300M

HVCB0603JTD300M

ნაწილი საფონდო: 51062

წინააღმდეგობა: 300 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HMC1206MT4G70

HMC1206MT4G70

ნაწილი საფონდო: 53226

წინააღმდეგობა: 4.7 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1500ppm/°C,

სასურველი