ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

SM6227JT1K20

SM6227JT1K20

ნაწილი საფონდო: 119980

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
MLF14BTT10K0

MLF14BTT10K0

ნაწილი საფონდო: 120267

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
SM6227JT2K20

SM6227JT2K20

ნაწილი საფონდო: 119977

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227JT1K80

SM6227JT1K80

ნაწილი საფონდო: 120020

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227JT2K40

SM6227JT2K40

ნაწილი საფონდო: 120013

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR220

SM6227JTR220

ნაწილი საფონდო: 123239

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR390

SM6227JTR390

ნაწილი საფონდო: 123252

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR150

SM6227JTR150

ნაწილი საფონდო: 123251

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR430

SM6227JTR430

ნაწილი საფონდო: 123251

წინააღმდეგობა: 430 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR470

SM6227JTR470

ნაწილი საფონდო: 123257

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR120

SM6227JTR120

ნაწილი საფონდო: 123267

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR180

SM6227JTR180

ნაწილი საფონდო: 123213

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR600

SM6227JTR600

ნაწილი საფონდო: 123234

წინააღმდეგობა: 600 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR910

SM6227JTR910

ნაწილი საფონდო: 123253

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR360

SM6227JTR360

ნაწილი საფონდო: 123243

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FB50L0

SM6227FB50L0

ნაწილი საფონდო: 122433

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR510

SM6227JTR510

ნაწილი საფონდო: 123187

წინააღმდეგობა: 510 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR160

SM6227JTR160

ნაწილი საფონდო: 123186

წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR240

SM6227JTR240

ნაწილი საფონდო: 123203

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR110

SM6227JTR110

ნაწილი საფონდო: 123261

წინააღმდეგობა: 110 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR200

SM6227JTR200

ნაწილი საფონდო: 123204

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT249R

SM6227FT249R

ნაწილი საფონდო: 124159

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR750

SM6227JTR750

ნაწილი საფონდო: 123181

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR680

SM6227JTR680

ნაწილი საფონდო: 123176

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR820

SM6227JTR820

ნაწილი საფონდო: 123221

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR270

SM6227JTR270

ნაწილი საფონდო: 123260

წინააღმდეგობა: 270 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR560

SM6227JTR560

ნაწილი საფონდო: 123175

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR100

SM6227JTR100

ნაწილი საფონდო: 123229

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR130

SM6227JTR130

ნაწილი საფონდო: 123183

წინააღმდეგობა: 130 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR620

SM6227JTR620

ნაწილი საფონდო: 123236

წინააღმდეგობა: 620 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR300

SM6227JTR300

ნაწილი საფონდო: 123252

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227JTR330

SM6227JTR330

ნაწილი საფონდო: 123267

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM6227FT75R0

SM6227FT75R0

ნაწილი საფონდო: 124087

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
RNCF0402TTT499R

RNCF0402TTT499R

ნაწილი საფონდო: 126266

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TTT3K09

RNCF0603TTT3K09

ნაწილი საფონდო: 126342

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RNCF0603TKT86K6

RNCF0603TKT86K6

ნაწილი საფონდო: 126256

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი