კრისტალები

ABM12W-39.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM12W-39.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 120871

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABS07-32.768KHZ-7-1-T

ABS07-32.768KHZ-7-1-T

ნაწილი საფონდო: 132945

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM11-16.000MHZ-D2X-T3

ABM11-16.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 132976

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABMM-25.000MHZ-D2X-T

ABMM-25.000MHZ-D2X-T

ნაწილი საფონდო: 133077

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123997

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.8000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.8000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123955

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.9344MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.9344MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123991

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.6800MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.6800MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123957

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.68MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.6875MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.6875MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123950

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6875MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.9340MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.9340MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123965

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.934MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.7079MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.7079MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124023

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.7079MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.9680MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.9680MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124011

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.8000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.8000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124013

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.3676MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.3676MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123987

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.3676MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.6608MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.6608MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123971

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123957

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.0132MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124030

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124009

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.4400MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-19.4400MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124017

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.6667MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.6667MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 124003

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.6667MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.3840MHZ-4-J1Z-T3

ABM11W-16.3840MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 123968

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM10-40.000MHZ-18-E30-T3

ABM10-40.000MHZ-18-E30-T3

ნაწილი საფონდო: 120282

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-D-T

ABS07AIG-32.768KHZ-D-T

ნაწილი საფონდო: 120255

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-7-1-T

ABS07AIG-32.768KHZ-7-1-T

ნაწილი საფონდო: 120342

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-9-T

ABS07AIG-32.768KHZ-9-T

ნაწილი საფონდო: 120258

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-6-1-T

ABS07AIG-32.768KHZ-6-1-T

ნაწილი საფონდო: 120276

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-7-T

ABS07AIG-32.768KHZ-7-T

ნაწილი საფონდო: 120326

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120286

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-38.400MHZ-18-E30-T3

ABM10-38.400MHZ-18-E30-T3

ნაწილი საფონდო: 120244

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-20.000MHZ-18-E30-T3

ABM10-20.000MHZ-18-E30-T3

ნაწილი საფონდო: 120289

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-1-T

ABS07AIG-32.768KHZ-1-T

ნაწილი საფონდო: 120319

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM10-48.000MHZ-18-E30-T3

ABM10-48.000MHZ-18-E30-T3

ნაწილი საფონდო: 120320

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-6-T

ABS07AIG-32.768KHZ-6-T

ნაწილი საფონდო: 120271

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-6-D-T

ABS07AIG-32.768KHZ-6-D-T

ნაწილი საფონდო: 120314

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM10-25.000MHZ-18-E30-T3

ABM10-25.000MHZ-18-E30-T3

ნაწილი საფონდო: 120258

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS09-32.768KHZ-4-T

ABS09-32.768KHZ-4-T

ნაწილი საფონდო: 132905

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი