კრისტალები

ABM3B-13.560MHZ-10-1-U-T

ABM3B-13.560MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122078

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.56MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3-14.7456MHZ-D2Y-T

ABM3-14.7456MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122064

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10-32.000MHZ-8-7-A15-T

ABM10-32.000MHZ-8-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3-19.6608MHZ-D2Y-T

ABM3-19.6608MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122065

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM3-11.2896MHZ-D2Y-T

ABM3-11.2896MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122097

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.2896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-44.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-44.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122118

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3-40.000MHZ-D2Y-T

ABM3-40.000MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122099

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
ABM3B-28.63636MHZ-10-1-U-T

ABM3B-28.63636MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122115

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-16.384MHZ-10-1-U-T

ABM3B-16.384MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122066

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-19.680MHZ-10-1-U-T

ABM3B-19.680MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122087

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.68MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 122949

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10-27.120MHZ-8-A10-T

ABM10-27.120MHZ-8-A10-T

ნაწილი საფონდო: 13271

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-18.432MHZ-D30-T3

ABM10-18.432MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109841

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10-16.384MHZ-D30-T3

ABM10-16.384MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109802

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10-16.3676MHZ-D30-T3

ABM10-16.3676MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109813

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.3676MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10-26.000MHZ-D30-T3

ABM10-26.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109836

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-24.576MHZ-D30-T3

ABM10-24.576MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109880

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11-20.000MHZ-D2X-T3

ABM11-20.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 109809

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10-27.000MHZ-D30-T3

ABM10-27.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109794

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-16.000MHZ-D30-T3

ABM10-16.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109799

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10-24.000MHZ-D30-T3

ABM10-24.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109839

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-30.000MHZ-D30-T3

ABM10-30.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 64276

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-22.1184MHZ-D30-T3

ABM10-22.1184MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109864

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-20.000MHZ-D30-T3

ABM10-20.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109826

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-165-38.400MHZ-T3

ABM10-165-38.400MHZ-T3

ნაწილი საფონდო: 109800

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -15ppm, +20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM10-19.200MHZ-D30-T3

ABM10-19.200MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109839

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10-32.000MHZ-D30-T3

ABM10-32.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109804

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-40.000MHZ-D30-T3

ABM10-40.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109807

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-48.000MHZ-D30-T3

ABM10-48.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109861

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114747

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 110767

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114800

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-26.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114741

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-31.2500MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-31.2500MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114713

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-25.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-25.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 110794

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114735

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი