კრისტალები

ABM11-48.000MHZ-D2X-T3

ABM11-48.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95167

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-10.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-10.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120299

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-19.200MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-19.200MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186452

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM11-32.000MHZ-D2X-T3

ABM11-32.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95173

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-14.7456MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-14.7456MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120325

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-24.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120268

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-26.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-26.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186450

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-12.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-12.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 195087

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-33.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-33.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120249

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM11-30.000MHZ-D2X-T3

ABM11-30.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95152

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-22.1184MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120300

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-27.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-27.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186440

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS06-32.768KHZ-T

ABS06-32.768KHZ-T

ნაწილი საფონდო: 96918

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 90 kOhms,

სასურველი
ABS06-32.768KHZ-9-T

ABS06-32.768KHZ-9-T

ნაწილი საფონდო: 96879

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 90 kOhms,

სასურველი
ABS06-32.768KHZ-6-T

ABS06-32.768KHZ-6-T

ნაწილი საფონდო: 96884

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 90 kOhms,

სასურველი
ABM10-25.000MHZ-D30-T3

ABM10-25.000MHZ-D30-T3

ნაწილი საფონდო: 109798

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.2240MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-28.2240MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101866

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-37.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101780

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.6100MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-40.6100MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101810

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-29.4912MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-29.4912MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101785

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-38.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101780

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.6364MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-28.6364MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101810

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-33.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101841

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.7200MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-30.7200MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101850

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-37.0500MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101829

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-31.2500MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-31.2500MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101841

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101841

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.4000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-37.4000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101820

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.3220MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-28.3220MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101828

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-33.3330MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101815

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.3200MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-30.3200MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101820

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABS06W-32.768KHZ-K-2-T

ABS06W-32.768KHZ-K-2-T

ნაწილი საფონდო: 98205

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 3pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 kOhms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-30.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101851

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-33.3300MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101778

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101868

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.4000MHZ-4-J1Z-T3

ABM12W-30.4000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 101812

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი