კრისტალები

ABM11-24.000MHZ-D2X-T3

ABM11-24.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95169

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11-25.000MHZ-D2X-T3

ABM11-25.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95194

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-16.384MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120323

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-24.576MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-24.576MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120300

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-12.000MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-12.000MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124582

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-27.000MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-27.000MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124590

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-24.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 195032

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-12.288MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-12.288MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120292

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-16.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-16.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130861

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-16.000MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-16.000MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124630

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-20.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-20.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186366

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11-28.63636MHZ-D2X-T3

ABM11-28.63636MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95168

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-19.6608MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-19.6608MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120299

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11-26.000MHZ-D2X-T3

ABM11-26.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95111

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-24.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-24.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186433

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11-27.000MHZ-D2X-T3

ABM11-27.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95126

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-32.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-32.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120250

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM11-38.400MHZ-D2X-T3

ABM11-38.400MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95142

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-18.432MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-18.432MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120327

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-28.63636MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-28.63636MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120329

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-40.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-40.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186425

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11-40.000MHZ-D2X-T3

ABM11-40.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95177

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-30.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-30.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120259

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-16.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-16.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120329

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-20.000MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-20.000MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120243

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-16.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-16.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 195005

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-32.000MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-32.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186408

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-12.000MHZ-D2Z-T3

ABM10AIG-12.000MHZ-D2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 130828

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-26.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-26.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 195053

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-24.576MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-24.576MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186378

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-40.000MHZ-12-2-T3

ABM8AIG-40.000MHZ-12-2-T3

ნაწილი საფონდო: 124538

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 Ohms,

სასურველი
ABM8AIG-13.560MHZ-12-2Z-T3

ABM8AIG-13.560MHZ-12-2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 120250

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.56MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11AIG-27.120MHZ-4Z-T3

ABM11AIG-27.120MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 186385

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3

ABM10AIG-27.000MHZ-4Z-T3

ნაწილი საფონდო: 195019

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11-44.000MHZ-D2X-T3

ABM11-44.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95146

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11-36.000MHZ-D2X-T3

ABM11-36.000MHZ-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 95171

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი