კრისტალები

ABM12W-24.9231MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.9231MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114743

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-26.0410MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114788

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.3200MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-30.3200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114753

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.8800MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-38.8800MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114729

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.2240MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-28.2240MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114744

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.5454MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114746

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.6364MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-28.6364MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114772

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5760MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.5760MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114794

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3300MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-33.3300MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114751

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114785

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.3050MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.3050MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114739

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114725

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5727MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.5727MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114721

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 110774

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5455MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.5455MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114765

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5535MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.5535MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114803

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114729

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-24.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114736

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 110758

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0500MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-37.0500MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114750

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.3220MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-28.3220MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114779

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114729

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-39.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-39.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114711

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-27.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114746

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-38.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-38.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114718

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-40.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114716

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 110814

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM12W-33.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM12W-33.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 114712

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM3B1-32.000MHZ-10-B4Y-T

ABM3B1-32.000MHZ-10-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 148

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-22-R50-E4H-T

ABM3B-25.000MHZ-22-R50-E4H-T

ნაწილი საფონდო: 16258

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±35ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 22pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-12.288MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-12.288MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125275

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-48.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-48.000MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125214

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-18.432MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-18.432MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125213

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.000MHZ-D4-T

ABM3B-27.000MHZ-D4-T

ნაწილი საფონდო: 8642

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-16.000MHZ-16-R50-N1G-T

ABM3B-16.000MHZ-16-R50-N1G-T

ნაწილი საფონდო: 16530

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-32.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-32.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125224

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი