კრისტალები

ABM3B-26.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-26.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125194

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-14.7456MHZ-E-4Z-T

ABM3B-14.7456MHZ-E-4Z-T

ნაწილი საფონდო: 32339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-20-D-4-H-T

ABM3B-25.000MHZ-20-D-4-H-T

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±35ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 20pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
ABM8G-22.1184MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-22.1184MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125188

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-12.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-12.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125241

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8G-33.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-33.000MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125263

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-27.1200MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126338

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM12W-27.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126307

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM12W-30.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126258

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM12W-40.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126298

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-48.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM12W-48.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126296

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM12W-26.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 126282

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-36.0000MHZ-6-B1U-T3

ABM12W-36.0000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 126282

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS25-38.000KHZ-T

ABS25-38.000KHZ-T

ნაწილი საფონდო: 112315

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 38kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12.5pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 kOhms,

სასურველი
ABMM2-50.000MHZ-E2F-T

ABMM2-50.000MHZ-E2F-T

ნაწილი საფონდო: 113538

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-26.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117871

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.3220MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-28.3220MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117836

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-26.0410MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 102

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-27.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117811

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-26.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 113778

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.6364MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-28.6364MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117826

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-29.4912MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-29.4912MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117896

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-27.1200MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117818

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-29.4912MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-29.4912MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117863

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-26.0410MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-26.0410MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117816

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.1200MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-27.1200MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117903

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-27.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-27.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117853

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.3220MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-28.3220MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117824

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.6364MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-28.6364MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117887

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.2240MHZ-4-B1U-T3

ABM12W-28.2240MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 117806

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-28.2240MHZ-4-B2U-T3

ABM12W-28.2240MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 117859

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM3-18.432MHZ-B4Y-T

ABM3-18.432MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 128529

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM3-16.384MHZ-B4Y-T

ABM3-16.384MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 128510

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM8-16.000MHZ-10-1-U-T

ABM8-16.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 128561

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3-14.7456MHZ-B4Y-T

ABM3-14.7456MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 128560

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-24.000MHZ-B2-T

ABM3B-24.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 128478

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი