კრისტალები

ABS07AIG-32.768KHZ-7-D-T

ABS07AIG-32.768KHZ-7-D-T

ნაწილი საფონდო: 104647

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07AIG-32.768KHZ-9-D-T

ABS07AIG-32.768KHZ-9-D-T

ნაწილი საფონდო: 120341

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS09-32.768KHZ-9-T

ABS09-32.768KHZ-9-T

ნაწილი საფონდო: 132942

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
AB-4.000MHZ-B2

AB-4.000MHZ-B2

ნაწილი საფონდო: 122094

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.120MHZ-10-D2H-T

ABM3B-27.120MHZ-10-D2H-T

ნაწილი საფონდო: 122116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±35ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-B4U-T

ABM3B-25.000MHZ-B4U-T

ნაწილი საფონდო: 122085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10-26.000MHZ-7-A15-T

ABM10-26.000MHZ-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM3B-19.200MHZ-10-1-U-T

ABM3B-19.200MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3-50.000MHZ-D2Y-T

ABM3-50.000MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122122

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
ABM3B-11.0592MHZ-10-1-U-T

ABM3B-11.0592MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122056

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 11.0592MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10-32.000MHZ-7-A15-T

ABM10-32.000MHZ-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122056

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3-14.31818MHZ-D2Y-T

ABM3-14.31818MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122086

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-N-2-X-T

ABM3B-25.000MHZ-N-2-X-T

ნაწილი საფონდო: 122081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM11-16.000MHZ-B7G-T

ABM11-16.000MHZ-B7G-T

ნაწილი საფონდო: 122103

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM3B-12.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-12.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122072

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-40.000MHZ-8-7-A15-T

ABM10-40.000MHZ-8-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122077

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM9-12.000MHZ-10-D1Y-T

ABM9-12.000MHZ-10-D1Y-T

ნაწილი საფონდო: 122081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM3B-19.800MHZ-10-1-U-T

ABM3B-19.800MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122049

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122127

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.120MHZ-10-D1G-T

ABM3B-27.120MHZ-10-D1G-T

ნაწილი საფონდო: 122099

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-14.7456MHZ-10-1-U-T

ABM3B-14.7456MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122143

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10-28.63636MHZ-8-7-A15-T

ABM10-28.63636MHZ-8-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122064

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM3B-22.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-22.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T

ABM3B-25.000MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM9-16.000MHZ-10-D-1U-T

ABM9-16.000MHZ-10-D-1U-T

ნაწილი საფონდო: 122068

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM3-24.576MHZ-D2Y-T

ABM3-24.576MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122086

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T

ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T

ნაწილი საფონდო: 122091

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-10-1-U-T

ABM3B-25.000MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 122110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3-30.000MHZ-D2Y-T

ABM3-30.000MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 122074

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127345

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127279

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127318

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127331

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127305

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127326

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-K1Z-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 127307

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი