კრისტალები

ABM11-16.000MHZ-9-B1U-T

ABM11-16.000MHZ-9-B1U-T

ნაწილი საფონდო: 125195

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABM3B-16.384MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-16.384MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125212

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-13.560MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-13.560MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125229

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.56MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3B-12.000MHZ-12-B4H-T

ABM3B-12.000MHZ-12-B4H-T

ნაწილი საფონდო: 125267

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±35ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3B-40.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-40.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125207

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-16.934MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-16.934MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125249

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.934MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-24.000MHZ-R60-D-1-W-T

ABM8-24.000MHZ-R60-D-1-W-T

ნაწილი საფონდო: 125211

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±25ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-20.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-20.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125252

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-36.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125223

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-13.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-13.000MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125237

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-14.31818MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-14.31818MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125271

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-24.576MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-24.576MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125255

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3B-16.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-16.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125225

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-16.384MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-16.384MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125195

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM3B-27.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-27.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125237

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-30.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8G-30.000MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 125196

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-30.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-30.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125187

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-12.288MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-12.288MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125255

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3B-13.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-13.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125232

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3B-18.432MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-18.432MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125191

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-28.63636MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-28.63636MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125177

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.63636MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-24.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-24.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125237

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-19.200MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-19.200MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125252

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM3B-14.31818MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-14.31818MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125195

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3B-25.000MHZ-10-B-1-U-T

ABM3B-25.000MHZ-10-B-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 125185

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-29.4912MHZ-10-B-T

ABMM-29.4912MHZ-10-B-T

ნაწილი საფონდო: 164

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM1-25.000MHZ-16-T

ABMM1-25.000MHZ-16-T

ნაწილი საფონდო: 4392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM1-24.000MHZ-16-T

ABMM1-24.000MHZ-16-T

ნაწილი საფონდო: 102

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM1-25.000MHZ-R40-D2X-T

ABMM1-25.000MHZ-R40-D2X-T

ნაწილი საფონდო: 145

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM-12.000MHZ-N2-T

ABMM-12.000MHZ-N2-T

ნაწილი საფონდო: 138

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-25.000MHZ-8-D2X-T

ABMM-25.000MHZ-8-D2X-T

ნაწილი საფონდო: 154

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM12W-30.0000MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-30.0000MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126307

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM12W-40.0000MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-40.0000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126258

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.4000MHZ-7-K2Z-T3

ABM12W-37.4000MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126262

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-37.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM12W-37.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126308

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12W-24.5454MHZ-6-J2Z-T3

ABM12W-24.5454MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 126349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი