Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
RB400VYM-50FHTR
Rohm Semiconductor

RB400VYM-50FHTR

ნაწილი საფონდო: 143

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 7.35ns,

სასურველი
RFUH10NS6STL
Rohm Semiconductor

RFUH10NS6STL

ნაწილი საფონდო: 111024

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB520CM-60T2R
Rohm Semiconductor

RB520CM-60T2R

ნაწილი საფონდო: 192150

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 10mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB161QS-40T18R
Rohm Semiconductor

RB161QS-40T18R

ნაწილი საფონდო: 108605

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RFN20NS3SFHTL
Rohm Semiconductor

RFN20NS3SFHTL

ნაწილი საფონდო: 106

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 350V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
RFUH10NS4STL
Rohm Semiconductor

RFUH10NS4STL

ნაწილი საფონდო: 91114

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 430V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RF05VYM1SFHTR
Rohm Semiconductor

RF05VYM1SFHTR

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RF05VYM2SFHTR
Rohm Semiconductor

RF05VYM2SFHTR

ნაწილი საფონდო: 73

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB520G-30T2R
Rohm Semiconductor

RB520G-30T2R

ნაწილი საფონდო: 133160

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB550VYM-30FHTR
Rohm Semiconductor

RB550VYM-30FHTR

ნაწილი საფონდო: 85

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 10.7ns,

სასურველი
RB520CS-30FHT2RA
Rohm Semiconductor

RB520CS-30FHT2RA

ნაწილი საფონდო: 158

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RRE02VSM4STR
Rohm Semiconductor

RRE02VSM4STR

ნაწილი საფონდო: 124049

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RFN20NS6SFHTL
Rohm Semiconductor

RFN20NS6SFHTL

ნაწილი საფონდო: 71

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 60ns,

სასურველი
RB558VYM150FHTR
Rohm Semiconductor

RB558VYM150FHTR

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 6.35ns,

სასურველი
RB168VYM100FHTR
Rohm Semiconductor

RB168VYM100FHTR

ნაწილი საფონდო: 144

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 6.7ns,

სასურველი
RFUH20NS6SFHTL
Rohm Semiconductor

RFUH20NS6SFHTL

ნაწილი საფონდო: 91

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
RB400DFHT146
Rohm Semiconductor

RB400DFHT146

ნაწილი საფონდო: 132

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 7.35ns,

სასურველი
RB578VYM100FHTR
Rohm Semiconductor

RB578VYM100FHTR

ნაწილი საფონდო: 120

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4.35ns,

სასურველი
RB520CM-30T2R
Rohm Semiconductor

RB520CM-30T2R

ნაწილი საფონდო: 155082

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB531VM-30TE-17
Rohm Semiconductor

RB531VM-30TE-17

ნაწილი საფონდო: 193077

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RFN20NS4SFHTL
Rohm Semiconductor

RFN20NS4SFHTL

ნაწილი საფონდო: 140

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 430V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
RRE07VTM4SFHTR
Rohm Semiconductor

RRE07VTM4SFHTR

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RRE07VTM6SFHTR
Rohm Semiconductor

RRE07VTM6SFHTR

ნაწილი საფონდო: 154

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 700mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB160VYM-40FHTR
Rohm Semiconductor

RB160VYM-40FHTR

ნაწილი საფონდო: 156

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 7.4ns,

სასურველი
RSX071VYM30FHTR
Rohm Semiconductor

RSX071VYM30FHTR

ნაწილი საფონდო: 153

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 700mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 420mV @ 700mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 9.6ns,

სასურველი
RF05VAM1STR
Rohm Semiconductor

RF05VAM1STR

ნაწილი საფონდო: 148508

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
RB521CS-30FHT2RA
Rohm Semiconductor

RB521CS-30FHT2RA

ნაწილი საფონდო: 138

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB168VYM150FHTR
Rohm Semiconductor

RB168VYM150FHTR

ნაწილი საფონდო: 120

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 890mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4.8ns,

სასურველი
RB420DFHT146
Rohm Semiconductor

RB420DFHT146

ნაწილი საფონდო: 80

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RRE02VTM6SFHTR
Rohm Semiconductor

RRE02VTM6SFHTR

ნაწილი საფონდო: 162

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB550VAM-30TR
Rohm Semiconductor

RB550VAM-30TR

ნაწილი საფონდო: 186895

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB886CST2RA
Rohm Semiconductor

RB886CST2RA

ნაწილი საფონდო: 108515

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 1mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
RB751CS-40FHT2RA
Rohm Semiconductor

RB751CS-40FHT2RA

ნაწილი საფონდო: 128

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RB168VYM-30FHTR
Rohm Semiconductor

RB168VYM-30FHTR

ნაწილი საფონდო: 148

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4.7ns,

სასურველი
RB521G-40FHT2R
Rohm Semiconductor

RB521G-40FHT2R

ნაწილი საფონდო: 140

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
RFUH20NS6STL
Rohm Semiconductor

RFUH20NS6STL

ნაწილი საფონდო: 91905

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი