რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-N8V474JX

EXB-N8V474JX

ნაწილი საფონდო: 122444

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V131JV

EXB-V4V131JV

ნაწილი საფონდო: 120873

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V151JX

EXB-N8V151JX

ნაწილი საფონდო: 143452

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V162JV

EXB-V4V162JV

ნაწილი საფონდო: 122666

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V2R7JV

EXB-V4V2R7JV

ნაწილი საფონდო: 193940

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V203JX

EXB-28V203JX

ნაწილი საფონდო: 144117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V560JV

EXB-V4V560JV

ნაწილი საფონდო: 129417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V302JX

EXB-N8V302JX

ნაწილი საფონდო: 164965

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V512JX

EXB-28V512JX

ნაწილი საფონდო: 117287

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V821JV

EXB-38V821JV

ნაწილი საფონდო: 108831

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V2R2JX

EXB-28V2R2JX

ნაწილი საფონდო: 141309

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V750JX

EXB-28V750JX

ნაწილი საფონდო: 161395

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V5R6JV

EXB-38V5R6JV

ნაწილი საფონდო: 104971

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V222JV

EXB-V4V222JV

ნაწილი საფონდო: 148141

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V300JX

EXB-28V300JX

ნაწილი საფონდო: 157439

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V151JX

EXB-28V151JX

ნაწილი საფონდო: 132075

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V1R3JV

EXB-V8V1R3JV

ნაწილი საფონდო: 165696

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V273JV

EXB-V4V273JV

ნაწილი საფონდო: 176957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-38V684JV

EXB-38V684JV

ნაწილი საფონდო: 154314

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V752JV

EXB-V4V752JV

ნაწილი საფონდო: 172962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V820JX

EXB-28V820JX

ნაწილი საფონდო: 154397

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V272JV

EXB-V4V272JV

ნაწილი საფონდო: 197987

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V512JX

EXB-N8V512JX

ნაწილი საფონდო: 145399

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V680JX

EXB-N8V680JX

ნაწილი საფონდო: 186881

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V430JX

EXB-N8V430JX

ნაწილი საფონდო: 153564

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V152JX

EXB-28V152JX

ნაწილი საფონდო: 121361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V163JX

EXB-28V163JX

ნაწილი საფონდო: 171052

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V913JX

EXB-N8V913JX

ნაწილი საფონდო: 121424

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V201JV

EXB-V4V201JV

ნაწილი საფონდო: 171192

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V6R8JX

EXB-N8V6R8JX

ნაწილი საფონდო: 154954

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V333JX

EXB-28V333JX

ნაწილი საფონდო: 169394

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V3R3JX

EXB-N8V3R3JX

ნაწილი საფონდო: 153319

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V362JV

EXB-V4V362JV

ნაწილი საფონდო: 160601

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V392JX

EXB-28V392JX

ნაწილი საფონდო: 113448

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V3R6JX

EXB-N8V3R6JX

ნაწილი საფონდო: 175161

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V4R7JV

EXB-V8V4R7JV

ნაწილი საფონდო: 118371

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი