რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-N8V562JX

EXB-N8V562JX

ნაწილი საფონდო: 115500

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V360JX

EXB-N8V360JX

ნაწილი საფონდო: 193161

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V331JV

EXB-V4V331JV

ნაწილი საფონდო: 148127

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V622JX

EXB-N8V622JX

ნაწილი საფონდო: 126058

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V224JX

EXB-N8V224JX

ნაწილი საფონდო: 152110

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V1R8JX

EXB-N8V1R8JX

ნაწილი საფონდო: 124169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V133JV

EXB-V4V133JV

ნაწილი საფონდო: 112784

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4VR000V

EXB-V4VR000V

ნაწილი საფონდო: 188300

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 0.0, ტოლერანტობა: Jumper, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V274JX

EXB-N8V274JX

ნაწილი საფონდო: 141149

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V821JX

EXB-N8V821JX

ნაწილი საფონდო: 171249

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V333JV

EXB-V4V333JV

ნაწილი საფონდო: 173652

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V102JX

EXB-N8V102JX

ნაწილი საფონდო: 161814

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V123JX

EXB-28V123JX

ნაწილი საფონდო: 125096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V1R6JX

EXB-N8V1R6JX

ნაწილი საფონდო: 140318

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.6, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V114JV

EXB-V4V114JV

ნაწილი საფონდო: 112869

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V752JX

EXB-28V752JX

ნაწილი საფონდო: 166272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V222JX

EXB-28V222JX

ნაწილი საფონდო: 108932

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V392JX

EXB-N8V392JX

ნაწილი საფონდო: 183817

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V824JV

EXB-V4V824JV

ნაწილი საფონდო: 141135

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V3R0JX

EXB-N8V3R0JX

ნაწილი საფონდო: 105995

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V912JV

EXB-V4V912JV

ნაწილი საფონდო: 197546

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V202JX

EXB-28V202JX

ნაწილი საფონდო: 195713

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V511JX

EXB-N8V511JX

ნაწილი საფონდო: 112401

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V303JX

EXB-28V303JX

ნაწილი საფონდო: 189082

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V240JX

EXB-N8V240JX

ნაწილი საფონდო: 127381

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V7R5JX

EXB-28V7R5JX

ნაწილი საფონდო: 134983

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V473JX

EXB-28V473JX

ნაწილი საფონდო: 167822

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V131JX

EXB-N8V131JX

ნაწილი საფონდო: 104588

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V394JX

EXB-N8V394JX

ნაწილი საფონდო: 129393

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V910JX

EXB-28V910JX

ნაწილი საფონდო: 108428

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V204JX

EXB-28V204JX

ნაწილი საფონდო: 125415

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V471JV

EXB-V4V471JV

ნაწილი საფონდო: 115759

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V560JX

EXB-N8V560JX

ნაწილი საფონდო: 158675

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V203JV

EXB-V4V203JV

ნაწილი საფონდო: 171285

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V120JX

EXB-N8V120JX

ნაწილი საფონდო: 102114

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V910JX

EXB-N8V910JX

ნაწილი საფონდო: 178971

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 91, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი