რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V4V302JV

EXB-V4V302JV

ნაწილი საფონდო: 127531

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V362JX

EXB-N8V362JX

ნაწილი საფონდო: 117469

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V3R9JX

EXB-N8V3R9JX

ნაწილი საფონდო: 143099

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V101JX

EXB-28V101JX

ნაწილი საფონდო: 100336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V754JV

EXB-V4V754JV

ნაწილი საფონდო: 118508

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V220JX

EXB-28V220JX

ნაწილი საფონდო: 184915

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V361JX

EXB-N8V361JX

ნაწილი საფონდო: 169909

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 360, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V1R2JX

EXB-N8V1R2JX

ნაწილი საფონდო: 160014

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V331JX

EXB-28V331JX

ნაწილი საფონდო: 178892

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V202JX

EXB-N8V202JX

ნაწილი საფონდო: 183974

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V163JX

EXB-N8V163JX

ნაწილი საფონდო: 150528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V121JX

EXB-28V121JX

ნაწილი საფონდო: 157628

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V152JV

EXB-V4V152JV

ნაწილი საფონდო: 124945

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V132JX

EXB-28V132JX

ნაწილი საფონდო: 130702

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V510JX

EXB-N8V510JX

ნაწილი საფონდო: 107577

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V471JX

EXB-N8V471JX

ნაწილი საფონდო: 194814

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V334JV

EXB-V4V334JV

ნაწილი საფონდო: 106587

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V224JX

EXB-28V224JX

ნაწილი საფონდო: 143715

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V272JX

EXB-N8V272JX

ნაწილი საფონდო: 191006

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V513JV

EXB-V4V513JV

ნაწილი საფონდო: 150406

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V754JX

EXB-N8V754JX

ნაწილი საფონდო: 156001

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 750k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V471JX

EXB-28V471JX

ნაწილი საფონდო: 144957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V220JX

EXB-N8V220JX

ნაწილი საფონდო: 164212

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V911JX

EXB-N8V911JX

ნაწილი საფონდო: 113195

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 910, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V472JV

EXB-V4V472JV

ნაწილი საფონდო: 114958

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V105JV

EXB-V4V105JV

ნაწილი საფონდო: 176227

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V160JX

EXB-N8V160JX

ნაწილი საფონდო: 105760

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V563JX

EXB-N8V563JX

ნაწილი საფონდო: 145586

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V330JX

EXB-N8V330JX

ნაწილი საფონდო: 148471

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V4R3JX

EXB-N8V4R3JX

ნაწილი საფონდო: 163522

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V200JV

EXB-V4V200JV

ნაწილი საფონდო: 147878

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V133JX

EXB-N8V133JX

ნაწილი საფონდო: 127100

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 13k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V681JX

EXB-N8V681JX

ნაწილი საფონდო: 197503

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V134JX

EXB-N8V134JX

ნაწილი საფონდო: 103301

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 130k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V9R1JX

EXB-N8V9R1JX

ნაწილი საფონდო: 125801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 9.1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V301JX

EXB-28V301JX

ნაწილი საფონდო: 148118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი