რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-V4V270JV

EXB-V4V270JV

ნაწილი საფონდო: 163192

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V470JX

EXB-28V470JX

ნაწილი საფონდო: 129755

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V161JV

EXB-V4V161JV

ნაწილი საფონდო: 153304

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V161JX

EXB-N8V161JX

ნაწილი საფონდო: 166097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 160, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V110JX

EXB-28V110JX

ნაწილი საფონდო: 168509

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V4R7JX

EXB-N8V4R7JX

ნაწილი საფონდო: 120977

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V390JX

EXB-28V390JX

ნაწილი საფონდო: 106897

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V304JV

EXB-V4V304JV

ნაწილი საფონდო: 110327

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V160JV

EXB-V4V160JV

ნაწილი საფონდო: 156637

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V113JV

EXB-V4V113JV

ნაწილი საფონდო: 151047

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V204JX

EXB-N8V204JX

ნაწილი საფონდო: 105174

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V223JX

EXB-28V223JX

ნაწილი საფონდო: 155073

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V391JX

EXB-N8V391JX

ნაწილი საფონდო: 127481

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V682JX

EXB-28V682JX

ნაწილი საფონდო: 151163

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V623JX

EXB-N8V623JX

ნაწილი საფონდო: 130447

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V110JX

EXB-N8V110JX

ნაწილი საფონდო: 104549

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V684JX

EXB-N8V684JX

ნაწილი საფონდო: 159578

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V160JX

EXB-28V160JX

ნაწილი საფონდო: 119978

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V561JX

EXB-N8V561JX

ნაწილი საფონდო: 114007

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V120JX

EXB-28V120JX

ნაწილი საფონდო: 181220

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V562JV

EXB-38V562JV

ნაწილი საფონდო: 190941

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V303JV

EXB-V4V303JV

ნაწილი საფონდო: 179689

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 30k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V1R0JX

EXB-N8V1R0JX

ნაწილი საფონდო: 141765

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V241JX

EXB-28V241JX

ნაწილი საფონდო: 132124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 240, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V363JX

EXB-28V363JX

ნაწილი საფონდო: 112359

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 36k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V621JX

EXB-28V621JX

ნაწილი საფონდო: 122479

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V824JX

EXB-N8V824JX

ნაწილი საფონდო: 197533

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V624JV

EXB-V4V624JV

ნაწილი საფონდო: 113265

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 620k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V271JX

EXB-N8V271JX

ნაწილი საფონდო: 198304

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V184JX

EXB-28V184JX

ნაწილი საფონდო: 115377

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V163JV

EXB-V4V163JV

ნაწილი საფონდო: 173823

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 16k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V223JX

EXB-N8V223JX

ნაწილი საფონდო: 169530

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V430JV

EXB-V4V430JV

ნაწილი საფონდო: 186137

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 43, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V820JV

EXB-V4V820JV

ნაწილი საფონდო: 188017

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V121JV

EXB-V4V121JV

ნაწილი საფონდო: 119315

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V113JX

EXB-N8V113JX

ნაწილი საფონდო: 174361

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი