რეზისტორული ქსელები, მასივები

EXB-28V272JX

EXB-28V272JX

ნაწილი საფონდო: 184655

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V330JV

EXB-V4V330JV

ნაწილი საფონდო: 131105

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V274JX

EXB-28V274JX

ნაწილი საფონდო: 182810

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V432JV

EXB-V4V432JV

ნაწილი საფონდო: 160212

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V6R8JX

EXB-28V6R8JX

ნაწილი საფონდო: 165435

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V822JX

EXB-N8V822JX

ნაწილი საფონდო: 125493

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V473JV

EXB-V4V473JV

ნაწილი საფონდო: 141079

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V8V7R5JV

EXB-V8V7R5JV

ნაწილი საფონდო: 118538

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V150JV

EXB-V4V150JV

ნაწილი საფონდო: 104543

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V333JX

EXB-N8V333JX

ნაწილი საფონდო: 116517

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V201JX

EXB-N8V201JX

ნაწილი საფონდო: 188348

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V221JX

EXB-N8V221JX

ნაწილი საფონდო: 111103

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V514JX

EXB-N8V514JX

ნაწილი საფონდო: 122467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V8V394JV

EXB-V8V394JV

ნაწილი საფონდო: 198430

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V472JX

EXB-N8V472JX

ნაწილი საფონდო: 199685

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V750JV

EXB-V4V750JV

ნაწილი საფონდო: 122440

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V220JV

EXB-V4V220JV

ნაწილი საფონდო: 167559

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V431JX

EXB-28V431JX

ნაწილი საფონდო: 140717

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 430, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V153JX

EXB-N8V153JX

ნაწილი საფონდო: 159444

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-38V180JV

EXB-38V180JV

ნაწილი საფონდო: 149881

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V7R5JX

EXB-N8V7R5JX

ნაწილი საფონდო: 166159

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 7.5, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V150JX

EXB-N8V150JX

ნაწილი საფონდო: 151135

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V683JV

EXB-V4V683JV

ნაწილი საფონდო: 104703

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V151JV

EXB-V4V151JV

ნაწილი საფონდო: 119642

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-V4V111JV

EXB-V4V111JV

ნაწილი საფონდო: 111617

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-28V622JX

EXB-28V622JX

ნაწილი საფონდო: 193327

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V201JX

EXB-28V201JX

ნაწილი საფონდო: 111801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-V4V620JV

EXB-V4V620JV

ნაწილი საფონდო: 176968

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
EXB-N8V243JX

EXB-N8V243JX

ნაწილი საფონდო: 102142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 24k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V563JX

EXB-28V563JX

ნაწილი საფონდო: 164423

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V753JX

EXB-N8V753JX

ნაწილი საფონდო: 150836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V513JX

EXB-28V513JX

ნაწილი საფონდო: 177108

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V750JX

EXB-N8V750JX

ნაწილი საფონდო: 184814

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V560JX

EXB-28V560JX

ნაწილი საფონდო: 183160

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-N8V112JX

EXB-N8V112JX

ნაწილი საფონდო: 113011

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
EXB-28V623JX

EXB-28V623JX

ნაწილი საფონდო: 199381

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 62k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი