Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
BC857CLT1G
ON Semiconductor

BC857CLT1G

ნაწილი საფონდო: 144772

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC856BLT3G
ON Semiconductor

BC856BLT3G

ნაწილი საფონდო: 192995

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCW72LT1G
ON Semiconductor

BCW72LT1G

ნაწილი საფონდო: 127727

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCX17LT1G
ON Semiconductor

BCX17LT1G

ნაწილი საფონდო: 153101

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC847BLT3G
ON Semiconductor

BC847BLT3G

ნაწილი საფონდო: 188522

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC847BTT1G
ON Semiconductor

BC847BTT1G

ნაწილი საფონდო: 162013

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC848CLT1G
ON Semiconductor

BC848CLT1G

ნაწილი საფონდო: 120126

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCP56T3G
ON Semiconductor

BCP56T3G

ნაწილი საფონდო: 129944

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC33725TA
ON Semiconductor

BC33725TA

ნაწილი საფონდო: 179232

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BCP56T1G
ON Semiconductor

BCP56T1G

ნაწილი საფონდო: 135251

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BCP56-16T1G
ON Semiconductor

BCP56-16T1G

ნაწილი საფონდო: 122852

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC858CLT1G
ON Semiconductor

BC858CLT1G

ნაწილი საფონდო: 112565

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC817-16LT1G
ON Semiconductor

BC817-16LT1G

ნაწილი საფონდო: 192502

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC817-40LT1G
ON Semiconductor

BC817-40LT1G

ნაწილი საფონდო: 134966

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BCP56-16T3G
ON Semiconductor

BCP56-16T3G

ნაწილი საფონდო: 138193

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC847CWT1G
ON Semiconductor

BC847CWT1G

ნაწილი საფონდო: 162404

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC807-25LT1G
ON Semiconductor

BC807-25LT1G

ნაწილი საფონდო: 131089

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BD440S
ON Semiconductor

BD440S

ნაწილი საფონდო: 178868

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

სასურველი
BC807-40LT1G
ON Semiconductor

BC807-40LT1G

ნაწილი საფონდო: 110095

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC856BLT1G
ON Semiconductor

BC856BLT1G

ნაწილი საფონდო: 186203

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC850CLT1G
ON Semiconductor

BC850CLT1G

ნაწილი საფონდო: 182653

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC846ALT1G
ON Semiconductor

BC846ALT1G

ნაწილი საფონდო: 195525

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCP53-16T1G
ON Semiconductor

BCP53-16T1G

ნაწილი საფონდო: 141436

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BD13710STU
ON Semiconductor

BD13710STU

ნაწილი საფონდო: 125375

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC847ALT1G
ON Semiconductor

BC847ALT1G

ნაწილი საფონდო: 113436

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCW33LT3G
ON Semiconductor

BCW33LT3G

ნაწილი საფონდო: 187204

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BD244BTU
ON Semiconductor

BD244BTU

ნაწილი საფონდო: 111916

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
BD435STU
ON Semiconductor

BD435STU

ნაწილი საფონდო: 180381

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სასურველი
BD436S
ON Semiconductor

BD436S

ნაწილი საფონდო: 101410

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სასურველი
BD435S
ON Semiconductor

BD435S

ნაწილი საფონდო: 112033

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

სასურველი
BC857BLT1G
ON Semiconductor

BC857BLT1G

ნაწილი საფონდო: 144913

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC847CLT1G
ON Semiconductor

BC847CLT1G

ნაწილი საფონდო: 138336

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC847BLT1G
ON Semiconductor

BC847BLT1G

ნაწილი საფონდო: 131059

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC846BLT1G
ON Semiconductor

BC846BLT1G

ნაწილი საფონდო: 170160

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC846BLT3G
ON Semiconductor

BC846BLT3G

ნაწილი საფონდო: 144911

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCX70J
ON Semiconductor

BCX70J

ნაწილი საფონდო: 101485

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

სასურველი