Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
SMMBT6521LT1G
ON Semiconductor

SMMBT6521LT1G

ნაწილი საფონდო: 113081

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V,

სასურველი
NSVBC857BLT3G
ON Semiconductor

NSVBC857BLT3G

ნაწილი საფონდო: 193265

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სასურველი
NJVMJD210T4G
ON Semiconductor

NJVMJD210T4G

ნაწილი საფონდო: 138380

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V,

სასურველი
NSVMMBT6520LT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT6520LT1G

ნაწილი საფონდო: 120062

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

სასურველი
NSS35200CF8T1G
ON Semiconductor

NSS35200CF8T1G

ნაწილი საფონდო: 184207

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V,

სასურველი
PZTA64
ON Semiconductor

PZTA64

ნაწილი საფონდო: 167667

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
SBCP68T1G
ON Semiconductor

SBCP68T1G

ნაწილი საფონდო: 185720

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

სასურველი
NSV1C301ET4G-VF01
ON Semiconductor

NSV1C301ET4G-VF01

ნაწილი საფონდო: 171019

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

სასურველი
NJVMJB45H11T4G
ON Semiconductor

NJVMJB45H11T4G

ნაწილი საფონდო: 78939

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
NST846BF3T5G
ON Semiconductor

NST846BF3T5G

ნაწილი საფონდო: 138127

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
KSP05TA
ON Semiconductor

KSP05TA

ნაწილი საფონდო: 122978

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

სასურველი
KSA1281YTA
ON Semiconductor

KSA1281YTA

ნაწილი საფონდო: 152676

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

სასურველი
NSV60601MZ4T1G
ON Semiconductor

NSV60601MZ4T1G

ნაწილი საფონდო: 163510

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

სასურველი
MCH3245-TL-E
ON Semiconductor

MCH3245-TL-E

ნაწილი საფონდო: 138360

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 260mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
NJVMJD32CG
ON Semiconductor

NJVMJD32CG

ნაწილი საფონდო: 100994

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
NJVMJD31CRLG
ON Semiconductor

NJVMJD31CRLG

ნაწილი საფონდო: 134493

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
MMJT350T1G
ON Semiconductor

MMJT350T1G

ნაწილი საფონდო: 178452

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

სასურველი
TIP42AG
ON Semiconductor

TIP42AG

ნაწილი საფონდო: 107722

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
TIP3055G
ON Semiconductor

TIP3055G

ნაწილი საფონდო: 43342

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

სასურველი
FJD5553TM
ON Semiconductor

FJD5553TM

ნაწილი საფონდო: 125206

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 400mA, 3V,

სასურველი
CPH3121-TL-E
ON Semiconductor

CPH3121-TL-E

ნაწილი საფონდო: 153522

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი
KSH47TF
ON Semiconductor

KSH47TF

ნაწილი საფონდო: 111443

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 200µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

სასურველი
MJE15028G
ON Semiconductor

MJE15028G

ნაწილი საფონდო: 68517

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V,

სასურველი
NSV40501UW3T2G
ON Semiconductor

NSV40501UW3T2G

ნაწილი საფონდო: 198771

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 150mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

სასურველი
KSC1008GTA
ON Semiconductor

KSC1008GTA

ნაწილი საფონდო: 166070

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 700mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი
NJVMJD32T4G
ON Semiconductor

NJVMJD32T4G

ნაწილი საფონდო: 152387

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
SS8550CTA
ON Semiconductor

SS8550CTA

ნაწილი საფონდო: 196989

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

სასურველი
KSA733CYTA
ON Semiconductor

KSA733CYTA

ნაწილი საფონდო: 157709

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი
KSA1381ESTU
ON Semiconductor

KSA1381ESTU

ნაწილი საფონდო: 133191

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

სასურველი
NSVBC847BTT1G
ON Semiconductor

NSVBC847BTT1G

ნაწილი საფონდო: 133882

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
NSS60601MZ4T3G
ON Semiconductor

NSS60601MZ4T3G

ნაწილი საფონდო: 171535

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

სასურველი
SBC807-25LT3G
ON Semiconductor

SBC807-25LT3G

ნაწილი საფონდო: 128578

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

სასურველი
SMMBTA56LT3G
ON Semiconductor

SMMBTA56LT3G

ნაწილი საფონდო: 123248

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
PZTA29
ON Semiconductor

PZTA29

ნაწილი საფონდო: 124083

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
KSH31CTF
ON Semiconductor

KSH31CTF

ნაწილი საფონდო: 121906

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
NSV40201LT1G
ON Semiconductor

NSV40201LT1G

ნაწილი საფონდო: 132151

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი