Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
FJL4315OTU
ON Semiconductor

FJL4315OTU

ნაწილი საფონდო: 25981

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 17A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

სასურველი
TIP100G
ON Semiconductor

TIP100G

ნაწილი საფონდო: 87227

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

სასურველი
MJE2955TTU
ON Semiconductor

MJE2955TTU

ნაწილი საფონდო: 96394

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

სასურველი
FJA4310OTU
ON Semiconductor

FJA4310OTU

ნაწილი საფონდო: 38358

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

სასურველი
TIP41BG
ON Semiconductor

TIP41BG

ნაწილი საფონდო: 110979

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
KSP43BU
ON Semiconductor

KSP43BU

ნაწილი საფონდო: 103705

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

სასურველი
FJP13007H2TU
ON Semiconductor

FJP13007H2TU

ნაწილი საფონდო: 92748

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

სასურველი
MJE171G
ON Semiconductor

MJE171G

ნაწილი საფონდო: 128514

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.7V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V,

სასურველი
KSB772YS
ON Semiconductor

KSB772YS

ნაწილი საფონდო: 174395

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

სასურველი
D44H11TU
ON Semiconductor

D44H11TU

ნაწილი საფონდო: 96370

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
SFT1202-E
ON Semiconductor

SFT1202-E

ნაწილი საფონდო: 172458

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V,

სასურველი
NSM6056MT1G
ON Semiconductor

NSM6056MT1G

ნაწილი საფონდო: 143978

ტრანზისტორის ტიპი: NPN + Zener Diode (Isolated), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

სასურველი
SPZT2907AT1G
ON Semiconductor

SPZT2907AT1G

ნაწილი საფონდო: 128414

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
KSD526Y
ON Semiconductor

KSD526Y

ნაწილი საფონდო: 130553

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 30µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V,

სასურველი
FJE3303H1TU
ON Semiconductor

FJE3303H1TU

ნაწილი საფონდო: 155822

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V,

სასურველი
TIP116G
ON Semiconductor

TIP116G

ნაწილი საფონდო: 109693

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

სასურველი
SNSS30201MR6T1G
ON Semiconductor

SNSS30201MR6T1G

ნაწილი საფონდო: 159467

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

სასურველი
KSD880YTU
ON Semiconductor

KSD880YTU

ნაწილი საფონდო: 99040

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

სასურველი
NJVBUB323ZT4G
ON Semiconductor

NJVBUB323ZT4G

ნაწილი საფონდო: 40265

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

სასურველი
SMMBT2222AWT1G
ON Semiconductor

SMMBT2222AWT1G

ნაწილი საფონდო: 148242

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
KSE13003H1ASTU
ON Semiconductor

KSE13003H1ASTU

ნაწილი საფონდო: 116288

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

სასურველი
KSA1220AYS
ON Semiconductor

KSA1220AYS

ნაწილი საფონდო: 140905

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 300mA, 5V,

სასურველი
MJE3055TTU
ON Semiconductor

MJE3055TTU

ნაწილი საფონდო: 104628

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

სასურველი
TIP42G
ON Semiconductor

TIP42G

ნაწილი საფონდო: 116291

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
MJL4302AG
ON Semiconductor

MJL4302AG

ნაწილი საფონდო: 11791

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

სასურველი
MJE5852G
ON Semiconductor

MJE5852G

ნაწილი საფონდო: 25647

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 8A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V,

სასურველი
TIP48G
ON Semiconductor

TIP48G

ნაწილი საფონდო: 104688

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

სასურველი
FJPF5021OTU
ON Semiconductor

FJPF5021OTU

ნაწილი საფონდო: 77966

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 500V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

სასურველი
NJL0302DG
ON Semiconductor

NJL0302DG

ნაწილი საფონდო: 814

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 260V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

სასურველი
NST489AMT1G
ON Semiconductor

NST489AMT1G

ნაწილი საფონდო: 174046

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

სასურველი
TIP141G
ON Semiconductor

TIP141G

ნაწილი საფონდო: 40316

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
MJD32CG
ON Semiconductor

MJD32CG

ნაწილი საფონდო: 155811

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
FJPF5027OTU
ON Semiconductor

FJPF5027OTU

ნაწილი საფონდო: 69809

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 800V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V,

სასურველი
KSC5338DTU
ON Semiconductor

KSC5338DTU

ნაწილი საფონდო: 154306

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 450V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

სასურველი
MJ11015G
ON Semiconductor

MJ11015G

ნაწილი საფონდო: 16881

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V,

სასურველი
MSD42SWT1G
ON Semiconductor

MSD42SWT1G

ნაწილი საფონდო: 157970

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

სასურველი