Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
MJL21194G
ON Semiconductor

MJL21194G

ნაწილი საფონდო: 14687

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

სასურველი
MJD127G
ON Semiconductor

MJD127G

ნაწილი საფონდო: 114431

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
NSS20601CF8T1G
ON Semiconductor

NSS20601CF8T1G

ნაწილი საფონდო: 122715

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 130mV @ 400mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

სასურველი
TIP126TU
ON Semiconductor

TIP126TU

ნაწილი საფონდო: 182284

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V,

სასურველი
MJE4343G
ON Semiconductor

MJE4343G

ნაწილი საფონდო: 21542

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 750µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 2V,

სასურველი
NJW1302G
ON Semiconductor

NJW1302G

ნაწილი საფონდო: 27844

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

სასურველი
MJL21193G
ON Semiconductor

MJL21193G

ნაწილი საფონდო: 14638

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

სასურველი
KSC2333YTU
ON Semiconductor

KSC2333YTU

ნაწილი საფონდო: 194098

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 100mA, 5V,

სასურველი
FJA4313OTU
ON Semiconductor

FJA4313OTU

ნაწილი საფონდო: 36806

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 17A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V,

სასურველი
TIP147FTU
ON Semiconductor

TIP147FTU

ნაწილი საფონდო: 39662

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
TIP36AG
ON Semiconductor

TIP36AG

ნაწილი საფონდო: 29324

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V,

სასურველი
NZT902
ON Semiconductor

NZT902

ნაწილი საფონდო: 146710

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 90V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

სასურველი
NSVMSD42WT1G
ON Semiconductor

NSVMSD42WT1G

ნაწილი საფონდო: 173136

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

სასურველი
MJL21195G
ON Semiconductor

MJL21195G

ნაწილი საფონდო: 15487

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

სასურველი
TIP41CTU
ON Semiconductor

TIP41CTU

ნაწილი საფონდო: 116243

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
MJF47G
ON Semiconductor

MJF47G

ნაწილი საფონდო: 53548

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 200µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

სასურველი
FJPF13007H2TU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TU

ნაწილი საფონდო: 81424

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V,

სასურველი
MJD31C1G
ON Semiconductor

MJD31C1G

ნაწილი საფონდო: 166512

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
NJVMJD31CG
ON Semiconductor

NJVMJD31CG

ნაწილი საფონდო: 108113

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
MJ15022G
ON Semiconductor

MJ15022G

ნაწილი საფონდო: 12606

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V,

სასურველი
KSE13003TH1ATU
ON Semiconductor

KSE13003TH1ATU

ნაწილი საფონდო: 191464

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 9 @ 500mA, 2V,

სასურველი
SMMBT2222ALT3G
ON Semiconductor

SMMBT2222ALT3G

ნაწილი საფონდო: 107789

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MJD243G
ON Semiconductor

MJD243G

ნაწილი საფონდო: 89361

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

სასურველი
MJL4281AG
ON Semiconductor

MJL4281AG

ნაწილი საფონდო: 11732

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V,

სასურველი
MJ21196G
ON Semiconductor

MJ21196G

ნაწილი საფონდო: 17431

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

სასურველი
TIP111TU
ON Semiconductor

TIP111TU

ნაწილი საფონდო: 180188

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

სასურველი
MJ15015G
ON Semiconductor

MJ15015G

ნაწილი საფონდო: 12020

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V,

სასურველი
MJL1302AG
ON Semiconductor

MJL1302AG

ნაწილი საფონდო: 20570

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 260V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V,

სასურველი
KSD1588YTU
ON Semiconductor

KSD1588YTU

ნაწილი საფონდო: 74035

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V,

სასურველი
KSB834WYTM
ON Semiconductor

KSB834WYTM

ნაწილი საფონდო: 151038

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

სასურველი
NJVNJD35N04G
ON Semiconductor

NJVNJD35N04G

ნაწილი საფონდო: 183335

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

სასურველი
TIP47G
ON Semiconductor

TIP47G

ნაწილი საფონდო: 109297

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

სასურველი
NJW0281G
ON Semiconductor

NJW0281G

ნაწილი საფონდო: 27913

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

სასურველი
MJE2955TG
ON Semiconductor

MJE2955TG

ნაწილი საფონდო: 79642

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 700µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

სასურველი
MJ4502G
ON Semiconductor

MJ4502G

ნაწილი საფონდო: 17217

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V,

სასურველი
TIP30CG
ON Semiconductor

TIP30CG

ნაწილი საფონდო: 128525

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 300µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

სასურველი