Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
BC547CTA
ON Semiconductor

BC547CTA

ნაწილი საფონდო: 103850

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC549CTA
ON Semiconductor

BC549CTA

ნაწილი საფონდო: 144652

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC560CTA
ON Semiconductor

BC560CTA

ნაწილი საფონდო: 196533

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC556BTF
ON Semiconductor

BC556BTF

ნაწილი საფონდო: 171463

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC556ATA
ON Semiconductor

BC556ATA

ნაწილი საფონდო: 136320

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC557ATA
ON Semiconductor

BC557ATA

ნაწილი საფონდო: 150035

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC556BTA
ON Semiconductor

BC556BTA

ნაწილი საფონდო: 107832

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC33716TFR
ON Semiconductor

BC33716TFR

ნაწილი საფონდო: 172890

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC857AMTF
ON Semiconductor

BC857AMTF

ნაწილი საფონდო: 198379

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC850CMTF
ON Semiconductor

BC850CMTF

ნაწილი საფონდო: 172068

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC546BZL1G
ON Semiconductor

BC546BZL1G

ნაწილი საფონდო: 5254

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC547CZL1G
ON Semiconductor

BC547CZL1G

ნაწილი საფონდო: 5206

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC847CTT1G
ON Semiconductor

BC847CTT1G

ნაწილი საფონდო: 5235

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BCX599
ON Semiconductor

BCX599

ნაწილი საფონდო: 6598

ტრანზისტორის ტიპი: NPN,

სასურველი
BCX79_J35Z
ON Semiconductor

BCX79_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5238

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V,

სასურველი
BC558B_J35Z
ON Semiconductor

BC558B_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5190

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC549C_J35Z
ON Semiconductor

BC549C_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5211

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC557_J35Z
ON Semiconductor

BC557_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5203

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC32716_J35Z
ON Semiconductor

BC32716_J35Z

ნაწილი საფონდო: 6604

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC369_J35Z
ON Semiconductor

BC369_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5221

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

სასურველი
BC213_J35Z
ON Semiconductor

BC213_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5255

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC238A_J35Z
ON Semiconductor

BC238A_J35Z

ნაწილი საფონდო: 6571

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC307_J35Z
ON Semiconductor

BC307_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5222

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC184L_J35Z
ON Semiconductor

BC184L_J35Z

ნაწილი საფონდო: 5267

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

სასურველი
BUL146F
ON Semiconductor

BUL146F

ნაწილი საფონდო: 5194

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V,

სასურველი
BUD42D-001
ON Semiconductor

BUD42D-001

ნაწილი საფონდო: 5235

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V,

სასურველი
BUH100
ON Semiconductor

BUH100

ნაწილი საფონდო: 5253

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 700V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 1.5A, 7A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

სასურველი
BDV65B
ON Semiconductor

BDV65B

ნაწილი საფონდო: 5191

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
BDW46
ON Semiconductor

BDW46

ნაწილი საფონდო: 5228

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
BD788
ON Semiconductor

BD788

ნაწილი საფონდო: 5248

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

სასურველი
BD180
ON Semiconductor

BD180

ნაწილი საფონდო: 5190

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC859BLT1
ON Semiconductor

BC859BLT1

ნაწილი საფონდო: 5240

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BD137
ON Semiconductor

BD137

ნაწილი საფონდო: 5220

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC856ALT3G
ON Semiconductor

BC856ALT3G

ნაწილი საფონდო: 5221

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC849BLT1
ON Semiconductor

BC849BLT1

ნაწილი საფონდო: 5226

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC849CLT1
ON Semiconductor

BC849CLT1

ნაწილი საფონდო: 5202

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი