Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
BDW23ATU
ON Semiconductor

BDW23ATU

ნაწილი საფონდო: 5116

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 60mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

სასურველი
BD537K
ON Semiconductor

BD537K

ნაწილი საფონდო: 5144

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V,

სასურველი
BD1376S
ON Semiconductor

BD1376S

ნაწილი საფონდო: 5158

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC547TA
ON Semiconductor

BC547TA

ნაწილი საფონდო: 5146

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC546TFR
ON Semiconductor

BC546TFR

ნაწილი საფონდო: 5127

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC549TAR
ON Semiconductor

BC549TAR

ნაწილი საფონდო: 5192

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC239CBU
ON Semiconductor

BC239CBU

ნაწილი საფონდო: 5143

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC238CBU
ON Semiconductor

BC238CBU

ნაწილი საფონდო: 5148

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC640TAR
ON Semiconductor

BC640TAR

ნაწილი საფონდო: 5137

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC635_L34Z
ON Semiconductor

BC635_L34Z

ნაწილი საფონდო: 5193

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC550BBU
ON Semiconductor

BC550BBU

ნაწილი საფონდო: 5121

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC547BTAR
ON Semiconductor

BC547BTAR

ნაწილი საფონდო: 5176

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC547B_L34Z
ON Semiconductor

BC547B_L34Z

ნაწილი საფონდო: 5159

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC547CTAR
ON Semiconductor

BC547CTAR

ნაწილი საფონდო: 5170

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC212
ON Semiconductor

BC212

ნაწილი საფონდო: 6515

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC184L
ON Semiconductor

BC184L

ნაწილი საფონდო: 5202

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 130 @ 100mA, 5V,

სასურველი
BC182LB_D27Z
ON Semiconductor

BC182LB_D27Z

ნაწილი საფონდო: 5190

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10µA, 5V,

სასურველი
BUT12A
ON Semiconductor

BUT12A

ნაწილი საფონდო: 5139

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 450V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA,

სასურველი
BD13710S
ON Semiconductor

BD13710S

ნაწილი საფონდო: 5123

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BD1396STU
ON Semiconductor

BD1396STU

ნაწილი საფონდო: 149492

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

სასურველი
BC560BBU
ON Semiconductor

BC560BBU

ნაწილი საფონდო: 5158

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC559ATA
ON Semiconductor

BC559ATA

ნაწილი საფონდო: 5140

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC559ABU
ON Semiconductor

BC559ABU

ნაწილი საფონდო: 5193

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC550ABU
ON Semiconductor

BC550ABU

ნაწილი საფონდო: 5169

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC557BBU
ON Semiconductor

BC557BBU

ნაწილი საფონდო: 6573

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BUT11FTU
ON Semiconductor

BUT11FTU

ნაწილი საფონდო: 5111

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA,

სასურველი
BUL45D2
ON Semiconductor

BUL45D2

ნაწილი საფონდო: 5155

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V,

სასურველი
BSP52T1
ON Semiconductor

BSP52T1

ნაწილი საფონდო: 6581

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

სასურველი
BC848BLT1
ON Semiconductor

BC848BLT1

ნაწილი საფონდო: 5119

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BC848ALT1
ON Semiconductor

BC848ALT1

ნაწილი საფონდო: 5141

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BF720T1
ON Semiconductor

BF720T1

ნაწილი საფონდო: 6555

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

სასურველი
BUL45
ON Semiconductor

BUL45

ნაწილი საფონდო: 5113

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 400mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 14 @ 300mA, 5V,

სასურველი
BC327BU
ON Semiconductor

BC327BU

ნაწილი საფონდო: 157987

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
BC556ABU
ON Semiconductor

BC556ABU

ნაწილი საფონდო: 160880

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

სასურველი
BSS63LT1G
ON Semiconductor

BSS63LT1G

ნაწილი საფონდო: 164339

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V,

სასურველი
BC849BLT1G
ON Semiconductor

BC849BLT1G

ნაწილი საფონდო: 180616

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სასურველი