Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
CNX36U
ON Semiconductor

CNX36U

ნაწილი საფონდო: 5469

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
FODB101V
ON Semiconductor

FODB101V

ნაწილი საფონდო: 2568

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 5µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 5µs,

სასურველი
HCPL0534R1
ON Semiconductor

HCPL0534R1

ნაწილი საფონდო: 5508

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
H11A2TM
ON Semiconductor

H11A2TM

ნაწილი საფონდო: 5307

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MCT2202300W
ON Semiconductor

MCT2202300W

ნაწილი საფონდო: 5469

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD852W
ON Semiconductor

FOD852W

ნაწილი საფონდო: 5346

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 15000% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 100µs, 20µs,

სასურველი
TIL111W
ON Semiconductor

TIL111W

ნაწილი საფონდო: 5465

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms,

სასურველი
FOD2742CR1V
ON Semiconductor

FOD2742CR1V

ნაწილი საფონდო: 5285

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
CNY173M_F132
ON Semiconductor

CNY173M_F132

ნაწილი საფონდო: 5390

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
MCT5210VM
ON Semiconductor

MCT5210VM

ნაწილი საფონდო: 5377

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 70% @ 3mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 400ns,

სასურველი
H11D3300
ON Semiconductor

H11D3300

ნაწილი საფონდო: 5379

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL2731SDV
ON Semiconductor

HCPL2731SDV

ნაწილი საფონდო: 2611

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
HMA121F
ON Semiconductor

HMA121F

ნაწილი საფონდო: 5517

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FODB101
ON Semiconductor

FODB101

ნაწილი საფონდო: 5392

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 5µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 5µs,

სასურველი
H11F3300W
ON Semiconductor

H11F3300W

ნაწილი საფონდო: 5532

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
HMA121V
ON Semiconductor

HMA121V

ნაწილი საფონდო: 5439

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
TIL111FM
ON Semiconductor

TIL111FM

ნაწილი საფონდო: 5474

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
H11A2SR2M
ON Semiconductor

H11A2SR2M

ნაწილი საფონდო: 5501

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MCT5211300
ON Semiconductor

MCT5211300

ნაწილი საფონდო: 2567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 14µs, 2.5µs,

სასურველი
MCT210M
ON Semiconductor

MCT210M

ნაწილი საფონდო: 5338

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 50µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 11µs,

სასურველი
MCA231
ON Semiconductor

MCA231

ნაწილი საფონდო: 5425

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4400Vrms,

სასურველი
FOD814W
ON Semiconductor

FOD814W

ნაწილი საფონდო: 5340

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FOD817CW
ON Semiconductor

FOD817CW

ნაწილი საფონდო: 5244

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOC8101SD
ON Semiconductor

MOC8101SD

ნაწილი საფონდო: 5426

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
SL55003SD
ON Semiconductor

SL55003SD

ნაწილი საფონდო: 5449

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
MCT2TM
ON Semiconductor

MCT2TM

ნაწილი საფონდო: 5395

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
MOC212VM
ON Semiconductor

MOC212VM

ნაწილი საფონდო: 5395

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
MCT5201300W
ON Semiconductor

MCT5201300W

ნაწილი საფონდო: 5385

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 120% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 12µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.5µs, 16µs,

სასურველი
MOC8021S
ON Semiconductor

MOC8021S

ნაწილი საფონდო: 5493

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
H11A5300W
ON Semiconductor

H11A5300W

ნაწილი საფონდო: 2563

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC80203S
ON Semiconductor

MOC80203S

ნაწილი საფონდო: 5355

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
MOC215R1M
ON Semiconductor

MOC215R1M

ნაწილი საფონდო: 5431

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4µs, 4µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11A4SR2M
ON Semiconductor

H11A4SR2M

ნაწილი საფონდო: 5436

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD617B
ON Semiconductor

FOD617B

ნაწილი საფონდო: 136402

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOCD211R1VM
ON Semiconductor

MOCD211R1VM

ნაწილი საფონდო: 5346

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
CNW11AV2S
ON Semiconductor

CNW11AV2S

ნაწილი საფონდო: 5357

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი