Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOC256R1VM
ON Semiconductor

MOC256R1VM

ნაწილი საფონდო: 5247

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
H11AG2300W
ON Semiconductor

H11AG2300W

ნაწილი საფონდო: 5488

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL0730R2
ON Semiconductor

HCPL0730R2

ნაწილი საფონდო: 2556

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 5000% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 7µs,

სასურველი
CNX39U3SD
ON Semiconductor

CNX39U3SD

ნაწილი საფონდო: 5337

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
CNW139300
ON Semiconductor

CNW139300

ნაწილი საფონდო: 5359

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA,

სასურველი
H11AG1300
ON Semiconductor

H11AG1300

ნაწილი საფონდო: 5428

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL2731WV
ON Semiconductor

HCPL2731WV

ნაწილი საფონდო: 5337

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
H11G33SD
ON Semiconductor

H11G33SD

ნაწილი საფონდო: 5497

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
MOC8107SD
ON Semiconductor

MOC8107SD

ნაწილი საფონდო: 5357

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11A817CSD
ON Semiconductor

H11A817CSD

ნაწილი საფონდო: 5357

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11AA2SR2VM
ON Semiconductor

H11AA2SR2VM

ნაწილი საფონდო: 2585

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA,

სასურველი
CNX36U3SD
ON Semiconductor

CNX36U3SD

ნაწილი საფონდო: 5362

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
H11B23SD
ON Semiconductor

H11B23SD

ნაწილი საფონდო: 5404

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
FOD617AS
ON Semiconductor

FOD617AS

ნაწილი საფონდო: 5523

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MCT5201300
ON Semiconductor

MCT5201300

ნაწილი საფონდო: 5414

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 120% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 12µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.5µs, 16µs,

სასურველი
MOC8112
ON Semiconductor

MOC8112

ნაწილი საფონდო: 5366

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი
H11A2FR2M
ON Semiconductor

H11A2FR2M

ნაწილი საფონდო: 5431

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11AV2SR2M
ON Semiconductor

H11AV2SR2M

ნაწილი საფონდო: 5335

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი
CNY17F1
ON Semiconductor

CNY17F1

ნაწილი საფონდო: 5450

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
HMA121CR1
ON Semiconductor

HMA121CR1

ნაწილი საფონდო: 5439

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AG1
ON Semiconductor

H11AG1

ნაწილი საფონდო: 5503

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MCT5210W
ON Semiconductor

MCT5210W

ნაწილი საფონდო: 5241

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 3mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 400ns,

სასურველი
SL5501300
ON Semiconductor

SL5501300

ნაწილი საფონდო: 5517

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
H11A3SR2VM
ON Semiconductor

H11A3SR2VM

ნაწილი საფონდო: 5412

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MCT271
ON Semiconductor

MCT271

ნაწილი საფონდო: 5436

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
FOD270L
ON Semiconductor

FOD270L

ნაწილი საფონდო: 5496

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 400% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 50µs,

სასურველი
H11D2SR2M
ON Semiconductor

H11D2SR2M

ნაწილი საფონდო: 5469

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL2503S
ON Semiconductor

HCPL2503S

ნაწილი საფონდო: 5359

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 12% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FOD617CS
ON Semiconductor

FOD617CS

ნაწილი საფონდო: 5370

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
H11AV2SVM
ON Semiconductor

H11AV2SVM

ნაწილი საფონდო: 5488

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs,

სასურველი
CNX35U3S
ON Semiconductor

CNX35U3S

ნაწილი საფონდო: 5506

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
FOD815W
ON Semiconductor

FOD815W

ნაწილი საფონდო: 5506

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 60µs, 53µs,

სასურველი
HCPL0701V
ON Semiconductor

HCPL0701V

ნაწილი საფონდო: 70720

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 2600% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 1.6µs,

სასურველი
HMA121BR2V
ON Semiconductor

HMA121BR2V

ნაწილი საფონდო: 5277

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA814A3S
ON Semiconductor

H11AA814A3S

ნაწილი საფონდო: 5551

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MOC81073S
ON Semiconductor

MOC81073S

ნაწილი საფონდო: 2604

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი