Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOC8020
ON Semiconductor

MOC8020

ნაწილი საფონდო: 5438

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
MOC81033S
ON Semiconductor

MOC81033S

ნაწილი საფონდო: 5396

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 108% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 173% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
FOD2741CSD
ON Semiconductor

FOD2741CSD

ნაწილი საფონდო: 5299

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
CNY171FR2VM
ON Semiconductor

CNY171FR2VM

ნაწილი საფონდო: 5317

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
H11AG2300
ON Semiconductor

H11AG2300

ნაწილი საფონდო: 2615

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
FOD2712V
ON Semiconductor

FOD2712V

ნაწილი საფონდო: 5387

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
MCT5211SVM
ON Semiconductor

MCT5211SVM

ნაწილი საფონდო: 5275

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 14µs, 2.5µs,

სასურველი
HMA121R1
ON Semiconductor

HMA121R1

ნაწილი საფონდო: 5366

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor

CNY17F3SR2VM_F132

ნაწილი საფონდო: 5475

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
CNX39U
ON Semiconductor

CNX39U

ნაწილი საფონდო: 5326

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 60% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
CNX48U
ON Semiconductor

CNX48U

ნაწილი საფონდო: 5276

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 350% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 36µs,

სასურველი
H11AG33SD
ON Semiconductor

H11AG33SD

ნაწილი საფონდო: 5488

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MOC8030S
ON Semiconductor

MOC8030S

ნაწილი საფონდო: 5318

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
CNY173FM
ON Semiconductor

CNY173FM

ნაწილი საფონდო: 5439

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
HMA121CR2
ON Semiconductor

HMA121CR2

ნაწილი საფონდო: 5314

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HMA2701AV
ON Semiconductor

HMA2701AV

ნაწილი საფონდო: 2587

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNW82SD
ON Semiconductor

CNW82SD

ნაწილი საფონდო: 5510

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.4% @ 10mA,

სასურველი
CNX38U3SD
ON Semiconductor

CNX38U3SD

ნაწილი საფონდო: 5395

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 70% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 210% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
HMA121R1V
ON Semiconductor

HMA121R1V

ნაწილი საფონდო: 5343

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F4300
ON Semiconductor

CNY17F4300

ნაწილი საფონდო: 5472

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 160% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
HCPL0530R2
ON Semiconductor

HCPL0530R2

ნაწილი საფონდო: 5417

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
CNX36U3S
ON Semiconductor

CNX36U3S

ნაწილი საფონდო: 5486

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
MOC216R1VM
ON Semiconductor

MOC216R1VM

ნაწილი საფონდო: 5340

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
MOC119S
ON Semiconductor

MOC119S

ნაწილი საფონდო: 2558

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
HCPL2730SV
ON Semiconductor

HCPL2730SV

ნაწილი საფონდო: 5355

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
FOD2712AV
ON Semiconductor

FOD2712AV

ნაწილი საფონდო: 156508

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
SL5501300W
ON Semiconductor

SL5501300W

ნაწილი საფონდო: 5457

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
H11A617C3SD
ON Semiconductor

H11A617C3SD

ნაწილი საფონდო: 5465

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
HMA121DR3V
ON Semiconductor

HMA121DR3V

ნაწილი საფონდო: 5387

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 100% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
HCPL3700WV
ON Semiconductor

HCPL3700WV

ნაწილი საფონდო: 5501

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 25µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 45µs, 0.5µs,

სასურველი
HCPL4502V
ON Semiconductor

HCPL4502V

ნაწილი საფონდო: 5379

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
H11G46
ON Semiconductor

H11G46

ნაწილი საფონდო: 5474

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 350% @ 500µA,

სასურველი
HCPL2731SV
ON Semiconductor

HCPL2731SV

ნაწილი საფონდო: 5380

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
H11AA33SD
ON Semiconductor

H11AA33SD

ნაწილი საფონდო: 5372

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
H11D4W
ON Semiconductor

H11D4W

ნაწილი საფონდო: 5349

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
FODM121AR1
ON Semiconductor

FODM121AR1

ნაწილი საფონდო: 5396

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი