Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
CNY17F2
ON Semiconductor

CNY17F2

ნაწილი საფონდო: 5648

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
MOC206VM
ON Semiconductor

MOC206VM

ნაწილი საფონდო: 5565

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
MOC8021SR2M
ON Semiconductor

MOC8021SR2M

ნაწილი საფონდო: 5567

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 8.5µs, 95µs,

სასურველი
H11B8153SD
ON Semiconductor

H11B8153SD

ნაწილი საფონდო: 5603

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 300µs, 250µs (Max),

სასურველი
FODB102V
ON Semiconductor

FODB102V

ნაწილი საფონდო: 2625

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 5µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 5µs,

სასურველი
MOC81053S
ON Semiconductor

MOC81053S

ნაწილი საფონდო: 5590

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 65% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 133% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11A2FVM
ON Semiconductor

H11A2FVM

ნაწილი საფონდო: 5540

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD2741CSDV
ON Semiconductor

FOD2741CSDV

ნაწილი საფონდო: 5687

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
H11B255300
ON Semiconductor

H11B255300

ნაწილი საფონდო: 5707

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
TIL113W
ON Semiconductor

TIL113W

ნაწილი საფონდო: 5519

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 350ns, 55µs,

სასურველი
H11G3SD
ON Semiconductor

H11G3SD

ნაწილი საფონდო: 5512

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
FODB103
ON Semiconductor

FODB103

ნაწილი საფონდო: 5591

არხების რაოდენობა: 1,

სასურველი
SL5511300
ON Semiconductor

SL5511300

ნაწილი საფონდო: 5676

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 2mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
FOD617B3S
ON Semiconductor

FOD617B3S

ნაწილი საფონდო: 5511

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
HCPL2531M
ON Semiconductor

HCPL2531M

ნაწილი საფონდო: 73888

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
HMA2701B
ON Semiconductor

HMA2701B

ნაწილი საფონდო: 5768

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F33S
ON Semiconductor

CNY17F33S

ნაწილი საფონდო: 5544

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
SL5501W
ON Semiconductor

SL5501W

ნაწილი საფონდო: 5681

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 25% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
MCT2202W
ON Semiconductor

MCT2202W

ნაწილი საფონდო: 5685

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
HMA121ER4V
ON Semiconductor

HMA121ER4V

ნაწილი საფონდო: 5681

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT5200
ON Semiconductor

MCT5200

ნაწილი საფონდო: 5396

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 75% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1.6µs, 18µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.3µs, 16µs,

სასურველი
H11F1
ON Semiconductor

H11F1

ნაწილი საფონდო: 5347

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
H11A5TM
ON Semiconductor

H11A5TM

ნაწილი საფონდო: 5296

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
HCPL0500R1
ON Semiconductor

HCPL0500R1

ნაწილი საფონდო: 5291

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
MOC8106300
ON Semiconductor

MOC8106300

ნაწილი საფონდო: 5455

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
CNY173300W
ON Semiconductor

CNY173300W

ნაწილი საფონდო: 5402

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AA1300W
ON Semiconductor

H11AA1300W

ნაწილი საფონდო: 5486

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
FODM121DV
ON Semiconductor

FODM121DV

ნაწილი საფონდო: 5441

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD617ASD
ON Semiconductor

FOD617ASD

ნაწილი საფონდო: 5402

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FOD816S
ON Semiconductor

FOD816S

ნაწილი საფონდო: 2591

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 60µs, 53µs,

სასურველი
CNW4502300
ON Semiconductor

CNW4502300

ნაწილი საფონდო: 5305

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA,

სასურველი
FOD2711ATV
ON Semiconductor

FOD2711ATV

ნაწილი საფონდო: 172675

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
MOC80213SD
ON Semiconductor

MOC80213SD

ნაწილი საფონდო: 5437

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
TIL111FR2M
ON Semiconductor

TIL111FR2M

ნაწილი საფონდო: 5436

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 10µs, 10µs (Max),

სასურველი
HMA124R3V
ON Semiconductor

HMA124R3V

ნაწილი საფონდო: 5394

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11A817
ON Semiconductor

H11A817

ნაწილი საფონდო: 5367

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი