Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
HMA2701BV
ON Semiconductor

HMA2701BV

ნაწილი საფონდო: 5399

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11G2300W
ON Semiconductor

H11G2300W

ნაწილი საფონდო: 5316

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
HCPL2530WV
ON Semiconductor

HCPL2530WV

ნაწილი საფონდო: 5378

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
MCT2SR2VM
ON Semiconductor

MCT2SR2VM

ნაწილი საფონდო: 5350

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
MOC208R2M
ON Semiconductor

MOC208R2M

ნაწილი საფონდო: 5285

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
CNX35U300W
ON Semiconductor

CNX35U300W

ნაწილი საფონდო: 2576

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
CNY17F3
ON Semiconductor

CNY17F3

ნაწილი საფონდო: 5343

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AV2TM
ON Semiconductor

H11AV2TM

ნაწილი საფონდო: 5264

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
MOC81063S
ON Semiconductor

MOC81063S

ნაწილი საფონდო: 2596

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11A817D300W
ON Semiconductor

H11A817D300W

ნაწილი საფონდო: 5432

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
FOD050LR1
ON Semiconductor

FOD050LR1

ნაწილი საფონდო: 5416

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 15% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 1µs (Max),

სასურველი
HMA121CR1V
ON Semiconductor

HMA121CR1V

ნაწილი საფონდო: 5282

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11A3SVM
ON Semiconductor

H11A3SVM

ნაწილი საფონდო: 2603

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
HMA124R4V
ON Semiconductor

HMA124R4V

ნაწილი საფონდო: 5466

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC8101300W
ON Semiconductor

MOC8101300W

ნაწილი საფონდო: 5279

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
H11AG1300W
ON Semiconductor

H11AG1300W

ნაწილი საფონდო: 5444

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
FOD073L
ON Semiconductor

FOD073L

ნაწილი საფონდო: 51781

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 400% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 25µs,

სასურველი
MOC8100VM
ON Semiconductor

MOC8100VM

ნაწილი საფონდო: 5467

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs (Max), აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
CNW139
ON Semiconductor

CNW139

ნაწილი საფონდო: 5410

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 1000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1.6mA,

სასურველი
HMAA2705R2V
ON Semiconductor

HMAA2705R2V

ნაწილი საფონდო: 5445

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD2742CR2
ON Semiconductor

FOD2742CR2

ნაწილი საფონდო: 5533

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HMHAA280R1
ON Semiconductor

HMHAA280R1

ნაწილი საფონდო: 5270

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11B8153S
ON Semiconductor

H11B8153S

ნაწილი საფონდო: 5398

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 600% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 7500% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 300µs, 250µs (Max),

სასურველი
H11A817A3SD
ON Semiconductor

H11A817A3SD

ნაწილი საფონდო: 5268

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
H11AA3SR2M
ON Semiconductor

H11AA3SR2M

ნაწილი საფონდო: 5428

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
H11D33S
ON Semiconductor

H11D33S

ნაწილი საფონდო: 5416

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
CNW82300
ON Semiconductor

CNW82300

ნაწილი საფონდო: 5428

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5900Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 0.4% @ 10mA,

სასურველი
MOC211VM
ON Semiconductor

MOC211VM

ნაწილი საფონდო: 116334

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11AA3S
ON Semiconductor

H11AA3S

ნაწილი საფონდო: 5489

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA,

სასურველი
HCPL2503SV
ON Semiconductor

HCPL2503SV

ნაწილი საფონდო: 5294

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 12% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
MOC8100FVM
ON Semiconductor

MOC8100FVM

ნაწილი საფონდო: 5383

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 30% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs (Max), აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD617C300W
ON Semiconductor

FOD617C300W

ნაწილი საფონდო: 2614

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOC81113SD
ON Semiconductor

MOC81113SD

ნაწილი საფონდო: 5287

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 18µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 11µs,

სასურველი
MOC8113300
ON Semiconductor

MOC8113300

ნაწილი საფონდო: 5338

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 4.2µs, 23µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 14µs,

სასურველი
H11AA2S
ON Semiconductor

H11AA2S

ნაწილი საფონდო: 5280

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA,

სასურველი
H11A3VM
ON Semiconductor

H11A3VM

ნაწილი საფონდო: 5500

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი