Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
HCPL0700R2V
ON Semiconductor

HCPL0700R2V

ნაწილი საფონდო: 5507

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 2600% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 7µs,

სასურველი
SL5583300W
ON Semiconductor

SL5583300W

ნაწილი საფონდო: 5392

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 320% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 50µs (Max),

სასურველი
MCT2202
ON Semiconductor

MCT2202

ნაწილი საფონდო: 5489

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC223R2VM
ON Semiconductor

MOC223R2VM

ნაწილი საფონდო: 5317

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 125µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 110µs,

სასურველი
H11A33S
ON Semiconductor

H11A33S

ნაწილი საფონდო: 5305

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
FOD2742BR2V
ON Semiconductor

FOD2742BR2V

ნაწილი საფონდო: 135169

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HCPL2531TSR2VM
ON Semiconductor

HCPL2531TSR2VM

ნაწილი საფონდო: 43099

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
H11B1W
ON Semiconductor

H11B1W

ნაწილი საფონდო: 5241

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
H11AG3S
ON Semiconductor

H11AG3S

ნაწილი საფონდო: 5290

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
CNX36U300
ON Semiconductor

CNX36U300

ნაწილი საფონდო: 5291

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 20µs, 20µs,

სასურველი
FODM217AR2
ON Semiconductor

FODM217AR2

ნაწილი საფონდო: 188093

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
HMHAA280R2V
ON Semiconductor

HMHAA280R2V

ნაწილი საფონდო: 150617

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD2741BS
ON Semiconductor

FOD2741BS

ნაწილი საფონდო: 125204

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HMA2701
ON Semiconductor

HMA2701

ნაწილი საფონდო: 5286

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MOC213R2VM
ON Semiconductor

MOC213R2VM

ნაწილი საფონდო: 5247

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11A4SR2VM
ON Semiconductor

H11A4SR2VM

ნაწილი საფონდო: 5249

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 10% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
MOC8101S
ON Semiconductor

MOC8101S

ნაწილი საფონდო: 5299

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
FODM121FV
ON Semiconductor

FODM121FV

ნაწილი საფონდო: 5274

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11F1SM
ON Semiconductor

H11F1SM

ნაწილი საფონდო: 22041

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 45µs, 45µs (Max),

სასურველი
H11AA1TVM
ON Semiconductor

H11AA1TVM

ნაწილი საფონდო: 72588

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
H11F1SD
ON Semiconductor

H11F1SD

ნაწილი საფონდო: 5286

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 25µs (Max),

სასურველი
MCT2SM
ON Semiconductor

MCT2SM

ნაწილი საფონდო: 5259

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
MCT52013S
ON Semiconductor

MCT52013S

ნაწილი საფონდო: 5234

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 120% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 12µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2.5µs, 16µs,

სასურველი
FOD2741BSV
ON Semiconductor

FOD2741BSV

ნაწილი საფონდო: 42591

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
HCPL0501R2V
ON Semiconductor

HCPL0501R2V

ნაწილი საფონდო: 77687

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
H11G2SD
ON Semiconductor

H11G2SD

ნაწილი საფონდო: 5228

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 100µs,

სასურველი
HMA124R4
ON Semiconductor

HMA124R4

ნაწილი საფონდო: 5218

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F3SR2M
ON Semiconductor

CNY17F3SR2M

ნაწილი საფონდო: 181148

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
MOCD217VM
ON Semiconductor

MOCD217VM

ნაწილი საფონდო: 57713

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM8801AR2
ON Semiconductor

FODM8801AR2

ნაწილი საფონდო: 161944

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 6µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 5.5µs,

სასურველი
HMHA2801AR1V
ON Semiconductor

HMHA2801AR1V

ნაწილი საფონდო: 5297

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT61
ON Semiconductor

MCT61

ნაწილი საფონდო: 73304

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MOC80213S
ON Semiconductor

MOC80213S

ნაწილი საფონდო: 5187

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs,

სასურველი
MOC256VM
ON Semiconductor

MOC256VM

ნაწილი საფონდო: 5215

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
MOC223R1VM
ON Semiconductor

MOC223R1VM

ნაწილი საფონდო: 2526

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3.5µs, 95µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1µs, 2µs,

სასურველი
MCT271S
ON Semiconductor

MCT271S

ნაწილი საფონდო: 2536

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი