ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MRF282ZR1

MRF282ZR1

ნაწილი საფონდო: 6201

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2GHz, მოგება: 11.5dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF6S27085HSR3

MRF6S27085HSR3

ნაწილი საფონდო: 4655

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.66GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S9101NR1

MRF5S9101NR1

ნაწილი საფონდო: 6106

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF6S18060NBR1

MRF6S18060NBR1

ნაწილი საფონდო: 6323

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF5S19130HR3

MRF5S19130HR3

ნაწილი საფონდო: 6251

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S21100HSR5

MRF6S21100HSR5

ნაწილი საფონდო: 6268

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 15.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF1511NT1

MRF1511NT1

ნაწილი საფონდო: 13521

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 175MHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,

სასურველი
MRF7S18125AHR5

MRF7S18125AHR5

ნაწილი საფონდო: 6387

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S19080HSR5

MRF7S19080HSR5

ნაწილი საფონდო: 6308

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S21100HSR5

MRF5S21100HSR5

ნაწილი საფონდო: 6268

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.16GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P26080HR3

MRF8P26080HR3

ნაწილი საფონდო: 6021

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.62GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35003NT1

MRFG35003NT1

ნაწილი საფონდო: 6331

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 11.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRFE6S9130HSR3

MRFE6S9130HSR3

ნაწილი საფონდო: 6299

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 19.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S19150HR3

MRF5S19150HR3

ნაწილი საფონდო: 6259

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S19210HSR3

MRF7S19210HSR3

ნაწილი საფონდო: 4657

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S19120NR1

MRF7S19120NR1

ნაწილი საფონდო: 1513

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5P21240HR5

MRF5P21240HR5

ნაწილი საფონდო: 6273

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S38075HSR5

MRF7S38075HSR5

ნაწილი საფონდო: 6293

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRFG35003NR5

MRFG35003NR5

ნაწილი საფონდო: 6100

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 11.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRF6S19120HR3

MRF6S19120HR3

ნაწილი საფონდო: 4707

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S27085HR3

MRF6S27085HR3

ნაწილი საფონდო: 6351

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.66GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S21170HR3

MRF7S21170HR3

ნაწილი საფონდო: 6190

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF9030NR1

MRF9030NR1

ნაწილი საფონდო: 6343

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 945MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF1570FNT1

MRF1570FNT1

ნაწილი საფონდო: 2626

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 470MHz, მოგება: 11.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

სასურველი
MRF6VP21KHR6

MRF6VP21KHR6

ნაწილი საფონდო: 6339

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 225MHz, მოგება: 24dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6S9201HR5

MRFE6S9201HR5

ნაწილი საფონდო: 6363

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 20.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V2150NBR5

MRF6V2150NBR5

ნაწილი საფონდო: 1441

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6V10250HSR5

MRF6V10250HSR5

ნაწილი საფონდო: 6038

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.09GHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MD7P19130HSR3

MD7P19130HSR3

ნაწილი საფონდო: 6316

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35010R5

MRFG35010R5

ნაწილი საფონდო: 6268

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRF6S18140HR5

MRF6S18140HR5

ნაწილი საფონდო: 6284

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF9045LSR1

MRF9045LSR1

ნაწილი საფონდო: 6300

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 945MHz, მოგება: 18.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S19130HSR3

MRF5S19130HSR3

ნაწილი საფონდო: 6299

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S19200HR3

MRF6S19200HR3

ნაწილი საფონდო: 6385

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S27050HSR5

MRF6S27050HSR5

ნაწილი საფონდო: 6333

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.62GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35010ANR5

MRFG35010ANR5

ნაწილი საფონდო: 6139

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი