ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MRF6S9060MR1

MRF6S9060MR1

ნაწილი საფონდო: 6290

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 21.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S19120HSR3

MRF6S19120HSR3

ნაწილი საფონდო: 4708

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF18090AR3

MRF18090AR3

ნაწილი საფონდო: 6065

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRFG35010

MRFG35010

ნაწილი საფონდო: 4690

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRF6S19100HSR5

MRF6S19100HSR5

ნაწილი საფონდო: 6330

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 16.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35010NT1

MRFG35010NT1

ნაწილი საფონდო: 6283

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRF8S21100HSR5

MRF8S21100HSR5

ნაწილი საფონდო: 6105

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MW6S010MR1

MW6S010MR1

ნაწილი საფონდო: 6335

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S19060NBR1

MRF5S19060NBR1

ნაწილი საფონდო: 6080

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S19100HSR3

MRF5S19100HSR3

ნაწილი საფონდო: 6324

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 13.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S9150HR3

MRF5S9150HR3

ნაწილი საფონდო: 6288

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6VP3450HSR6

MRF6VP3450HSR6

ნაწილი საფონდო: 6314

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF7S21150HSR5

MRF7S21150HSR5

ნაწილი საფონდო: 6337

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6S9160HSR5

MRF6S9160HSR5

ნაწილი საფონდო: 6272

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 20.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S19150HSR3

MRF5S19150HSR3

ნაწილი საფონდო: 6016

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5S21100HSR3

MRF5S21100HSR3

ნაწილი საფონდო: 6326

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.16GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 13.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF5P20180HR5

MRF5P20180HR5

ნაწილი საფონდო: 6254

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V4300NBR1

MRF6V4300NBR1

ნაწილი საფონდო: 918

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 450MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF19030LSR3

MRF19030LSR3

ნაწილი საფონდო: 6092

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.96GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF9045NR1

MRF9045NR1

ნაწილი საფონდო: 6341

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 945MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VP6300HSR3

MRFE6VP6300HSR3

ნაწილი საფონდო: 6067

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 26.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF5S9101NBR1

MRF5S9101NBR1

ნაწილი საფონდო: 6104

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF7S21110HSR3

MRF7S21110HSR3

ნაწილი საფონდო: 6357

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 17.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6S9200HR5

MRFE6S9200HR5

ნაწილი საფონდო: 6356

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6S9135HR5

MRFE6S9135HR5

ნაწილი საფონდო: 6301

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 940MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35005ANT1

MRFG35005ANT1

ნაწილი საფონდო: 6382

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 11dB, ძაბვა - ტესტი: 12V,

სასურველი
MRF5S21045MBR1

MRF5S21045MBR1

ნაწილი საფონდო: 5998

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6P27160HR6

MRF6P27160HR6

ნაწილი საფონდო: 6015

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.66GHz, მოგება: 14.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF373ALSR1

MRF373ALSR1

ნაწილი საფონდო: 6260

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 18.2dB, ძაბვა - ტესტი: 32V,

სასურველი
MRF6V12250HR3

MRF6V12250HR3

ნაწილი საფონდო: 6340

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6VP2600HR6

MRF6VP2600HR6

ნაწილი საფონდო: 434

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 225MHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF5S21150HSR5

MRF5S21150HSR5

ნაწილი საფონდო: 6301

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.17GHz, მოგება: 12.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF7S38075HR5

MRF7S38075HR5

ნაწილი საფონდო: 6087

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRF7S19080HSR3

MRF7S19080HSR3

ნაწილი საფონდო: 6329

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF19085LR3

MRF19085LR3

ნაწილი საფონდო: 6350

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 13dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MRF1550NT1

MRF1550NT1

ნაწილი საფონდო: 3376

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 175MHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V, მიმდინარე რეიტინგი: 12A,

სასურველი