კერამიკული კონდენსატორები

GRM0336T1E9R8DD01D

GRM0336T1E9R8DD01D

ნაწილი საფონდო: 9288

ტევადობა: 9.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A6R7DA01D

GRM1555C2A6R7DA01D

ნაწილი საფონდო: 138699

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155C80J105KE02J

GRM155C80J105KE02J

ნაწილი საფონდო: 8798

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM319R61C226KE15D

GRM319R61C226KE15D

ნაწილი საფონდო: 5690

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1885C1H3R0BA01J

GRM1885C1H3R0BA01J

ნაწილი საფონდო: 162302

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A9R1DA01J

GRM1555C2A9R1DA01J

ნაწილი საფონდო: 149574

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H1R4CD01D

GRM1556S1H1R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 4975

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A5R8CA01D

GRM1885C2A5R8CA01D

ნაწილი საფონდო: 179503

ტევადობა: 5.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33D821KN3A

DEHR33D821KN3A

ნაწილი საფონდო: 102943

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM1885C2A821GA01D

GRM1885C2A821GA01D

ნაწილი საფონდო: 180292

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H5R2DD01D

GRM0337U1H5R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 4755

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H7R3DZ01D

GRM1886R1H7R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 1132

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM32ER70J476KE20K

GRM32ER70J476KE20K

ნაწილი საფონდო: 122224

ტევადობა: 47µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A8R5CA01J

GRM1555C2A8R5CA01J

ნაწილი საფონდო: 107941

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H240GZ01D

GRM1556S1H240GZ01D

ნაწილი საფონდო: 7046

ტევადობა: 24pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GJM0335C1E4R0BB01E

GJM0335C1E4R0BB01E

ნაწილი საფონდო: 4774

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM216R71H153KA01J

GRM216R71H153KA01J

ნაწილი საფონდო: 121729

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166S1H820JZ01D

GRM2166S1H820JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1517

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRJ216R71H472KE01D

GRJ216R71H472KE01D

ნაწილი საფონდო: 167832

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
GRM0336T1E9R9DD01D

GRM0336T1E9R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 8083

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH020CJ3B

DEF2CLH020CJ3B

ნაწილი საფონდო: 195798

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM31CR61E226KE15K

GRM31CR61E226KE15K

ნაწილი საფონდო: 165616

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1555C2A9R8CA01D

GRM1555C2A9R8CA01D

ნაწილი საფონდო: 101806

ტევადობა: 9.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H4R8CZ01D

GRM1886S1H4R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9482

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886P1H7R7DZ01D

GRM1886P1H7R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4764

ტევადობა: 7.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E9R4DD01D

GRM0336T1E9R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 4948

ტევადობა: 9.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1HR80CD01D

GRM0336T1HR80CD01D

ნაწილი საფონდო: 8340

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CR61C226ME15K

GRM31CR61C226ME15K

ნაწილი საფონდო: 185899

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM216R71E103KA01D

GRM216R71E103KA01D

ნაწილი საფონდო: 142174

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E9R5CD01D

GRM0336T1E9R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 1934

ტევადობა: 9.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E180JD01J

GRM0335C1E180JD01J

ნაწილი საფონდო: 5739

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0336T1E9R9CD01D

GRM0336T1E9R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 801

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A9R7CA01D

GRM1885C2A9R7CA01D

ნაწილი საფონდო: 180003

ტევადობა: 9.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71C473KA01J

GRM216R71C473KA01J

ნაწილი საფონდო: 5410

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R60J154ME01D

GRM155R60J154ME01D

ნაწილი საფონდო: 102088

ტევადობა: 0.15µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GQM2195C2AR50CB01D

GQM2195C2AR50CB01D

ნაწილი საფონდო: 187738

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი