კერამიკული კონდენსატორები

GRM0336T1HR50BD01D

GRM0336T1HR50BD01D

ნაწილი საფონდო: 3129

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH270JJ3B

DEF1XLH270JJ3B

ნაწილი საფონდო: 191755

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEHR33F182KN7A

DEHR33F182KN7A

ნაწილი საფონდო: 186187

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM21BR71A475ME51L

GRM21BR71A475ME51L

ნაწილი საფონდო: 1726

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H4R2CZ01D

GRM1886S1H4R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1375

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM319R61H475MA12D

GRM319R61H475MA12D

ნაწილი საფონდო: 283

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556S1H1R2CD01D

GRM1556S1H1R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 9741

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1HR90CA01D

GRM1555C1HR90CA01D

ნაწილი საფონდო: 117738

ტევადობა: 0.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61C225MAADD

GRM188R61C225MAADD

ნაწილი საფონდო: 175061

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0335C1E1R4BD01D

GRM0335C1E1R4BD01D

ნაწილი საფონდო: 900

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM319R72A104JA01D

GRM319R72A104JA01D

ნაწილი საფონდო: 6253

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61A334MA61D

GRM188R61A334MA61D

ნაწილი საფონდო: 179779

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1886R1H100JZ01D

GRM1886R1H100JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4890

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H4R6CD01D

GRM0337U1H4R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 9727

ტევადობა: 4.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBB33D221KC1B

DEBB33D221KC1B

ნაწილი საფონდო: 198156

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0335C1E1R6BD01D

GRM0335C1E1R6BD01D

ნაწილი საფონდო: 1420

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886P2A3R2CZ01D

GRM1886P2A3R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4103

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H3R1CA01D

GRM1885C1H3R1CA01D

ნაწილი საფონდო: 124381

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886P1H330JZ01D

GRM1886P1H330JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1812

ტევადობა: 33pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH470JA3B

DEF1XLH470JA3B

ნაწილი საფონდო: 163614

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM188R61C684KA75D

GRM188R61C684KA75D

ნაწილი საფონდო: 127324

ტევადობა: 0.68µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0337U1H5R3CD01D

GRM0337U1H5R3CD01D

ნაწილი საფონდო: 8168

ტევადობა: 5.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E1R7CD01D

GRM0335C1E1R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 9101

ტევადობა: 1.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H1R8CD01D

GRM1556S1H1R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 1313

ტევადობა: 1.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H7R6DZ01D

GRM1886R1H7R6DZ01D

ნაწილი საფონდო: 568

ტევადობა: 7.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R71H391JA01D

GRM155R71H391JA01D

ნაწილი საფონდო: 133668

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H7R9DZ01D

GRM1886R1H7R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4458

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886P1H7R9DZ01D

GRM1886P1H7R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8688

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H3R0CA01J

GRM1885C1H3R0CA01J

ნაწილი საფონდო: 199684

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H220GZ01D

GRM1556S1H220GZ01D

ნაწილი საფონდო: 9840

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H7R3DZ01D

GRM1556S1H7R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 905

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH040CJ3B

DEF2CLH040CJ3B

ნაწილი საფონდო: 182819

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0336T1HR60BD01D

GRM0336T1HR60BD01D

ნაწილი საფონდო: 6437

ტევადობა: 0.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71C473KA01D

GRM216R71C473KA01D

ნაწილი საფონდო: 133346

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM0335C1E101JD03D

GCM0335C1E101JD03D

ნაწილი საფონდო: 148895

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886S1H4R1CZ01D

GRM1886S1H4R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2421

ტევადობა: 4.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი