კერამიკული კონდენსატორები

GRM1886R1H7R2DZ01D

GRM1886R1H7R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6781

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556S1H150GZ01D

GRM1556S1H150GZ01D

ნაწილი საფონდო: 8528

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2166S1H241JZ01D

GRM2166S1H241JZ01D

ნაწილი საფონდო: 860

ტევადობა: 240pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71E272KA01D

GRM216R71E272KA01D

ნაწილი საფონდო: 107585

ტევადობა: 2700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM31CR60J106KA01L

GRM31CR60J106KA01L

ნაწილი საფონდო: 183877

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM319R71H334JA01D

GRM319R71H334JA01D

ნაწილი საფონდო: 146

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM216R71E561KA01D

GRM216R71E561KA01D

ნაწილი საფონდო: 186230

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1886R1H8R8DZ01D

GRM1886R1H8R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 330

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H2R6CA01D

GRM1885C1H2R6CA01D

ნაწილი საფონდო: 126839

ტევადობა: 2.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEA1X3D100JP2A

DEA1X3D100JP2A

ნაწილი საფონდო: 147497

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1886P1H620JZ01D

GRM1886P1H620JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2033

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: P2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A8R5CA01D

GRM1885C2A8R5CA01D

ნაწილი საფონდო: 193679

ტევადობა: 8.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1E1R9BD01D

GRM0335C1E1R9BD01D

ნაწილი საფონდო: 2349

ტევადობა: 1.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155C80J105ME02J

GRM155C80J105ME02J

ნაწილი საფონდო: 851

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
GRM0337U1H5R1DD01D

GRM0337U1H5R1DD01D

ნაწილი საფონდო: 6262

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH060DN3A

DEF2CLH060DN3A

ნაწილი საფონდო: 184335

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1885C2A5R9CA01D

GRM1885C2A5R9CA01D

ნაწილი საფონდო: 137249

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM32ER71C226KEA8K

GRM32ER71C226KEA8K

ნაწილი საფონდო: 1642

ტევადობა: 22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF2CLH050DN3A

DEF2CLH050DN3A

ნაწილი საფონდო: 132652

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0H, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0336T1E9R8CD01D

GRM0336T1E9R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 4809

ტევადობა: 9.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRJ216R71H102KE01D

GRJ216R71H102KE01D

ნაწილი საფონდო: 155134

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: Soft Termination,

სასურველი
RHEL81H223K1A2A03B

RHEL81H223K1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 190806

ტევადობა: 0.022µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8L, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM1886R1H910JZ01D

GRM1886R1H910JZ01D

ნაწილი საფონდო: 6942

ტევადობა: 91pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1885C1H6R6DA16D

GCM1885C1H6R6DA16D

ნაწილი საფონდო: 161298

ტევადობა: 6.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0337U1H4R7CD01D

GRM0337U1H4R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 4571

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C1H2R8CA01D

GRM1885C1H2R8CA01D

ნაწილი საფონდო: 121058

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEHR33F222KB3B

DEHR33F222KB3B

ნაწილი საფონდო: 153581

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: R, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Voltage, Low Dissipation Factor,

სასურველი
GRM319R61C106ME15D

GRM319R61C106ME15D

ნაწილი საფონდო: 176951

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1886R1H7R5DZ01D

GRM1886R1H7R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9413

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RHE5G1H221J1A2A03B

RHE5G1H221J1A2A03B

ნაწილი საფონდო: 131439

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X8G, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
GRM1886R1H9R1DZ01D

GRM1886R1H9R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2372

ტევადობა: 9.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: R2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A8R4DA01J

GRM1555C2A8R4DA01J

ნაწილი საფონდო: 199355

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C2A9R2CA01J

GRM1555C2A9R2CA01J

ნაწილი საფონდო: 122494

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1885C2A821GA01J

GRM1885C2A821GA01J

ნაწილი საფონდო: 124098

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEF1XLH270JA3B

DEF1XLH270JA3B

ნაწილი საფონდო: 135816

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
DEF1XLH390JA3B

DEF1XLH390JA3B

ნაწილი საფონდო: 199664

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 6300V (6.3kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: SL, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 105°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი