მეხსიერება

CY7C1911KV18-250BZXC

CY7C1911KV18-250BZXC

ნაწილი საფონდო: 8724

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (2M x 9), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CY14MB064Q1A-SXIT

CY14MB064Q1A-SXIT

ნაწილი საფონდო: 3609

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
CY7C1355C-133AXC

CY7C1355C-133AXC

ნაწილი საფონდო: 5712

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S29GL01GS11TFA010

S29GL01GS11TFA010

ნაწილი საფონდო: 130

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL208K0RMFI013

S25FL208K0RMFI013

ნაწილი საფონდო: 8755

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 76MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
S34ML01G200BHA003

S34ML01G200BHA003

ნაწილი საფონდო: 9563

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY62167GE30-45ZXIT

CY62167GE30-45ZXIT

ნაწილი საფონდო: 5637

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY7C1361C-133AXI

CY7C1361C-133AXI

ნაწილი საფონდო: 5728

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S34ML02G100TFA000

S34ML02G100TFA000

ნაწილი საფონდო: 6326

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C144E-55JXC

CY7C144E-55JXC

ნაწილი საფონდო: 3093

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY7C136E-55JXCT

CY7C136E-55JXCT

ნაწილი საფონდო: 3348

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
STK15C88-NF25I

STK15C88-NF25I

ნაწილი საფონდო: 3614

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C1470BV33-167BZCT

CY7C1470BV33-167BZCT

ნაწილი საფონდო: 5636

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 72Mb (2M x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY62167G18-55ZXIT

CY62167G18-55ZXIT

ნაწილი საფონდო: 5616

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
STK12C68-WF25

STK12C68-WF25

ნაწილი საფონდო: 5904

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C027-20AXI

CY7C027-20AXI

ნაწილი საფონდო: 4012

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 512Kb (32K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C1570KV18-400BZXI

CY7C1570KV18-400BZXI

ნაწილი საფონდო: 6710

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II+, მეხსიერების ზომა: 72Mb (2M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
CY14B104N-BA20XC

CY14B104N-BA20XC

ნაწილი საფონდო: 5558

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C131E-25JXCT

CY7C131E-25JXCT

ნაწილი საფონდო: 4355

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Kb (1K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C2570KV18-450BZC

CY7C2570KV18-450BZC

ნაწილი საფონდო: 6847

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II+, მეხსიერების ზომა: 72Mb (2M x 36), საათის სიხშირე: 450MHz,

სასურველი
CY7C1441AV25-133BZXIT

CY7C1441AV25-133BZXIT

ნაწილი საფონდო: 4474

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 36Mb (1M x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S25FL116K0XBHV030

S25FL116K0XBHV030

ნაწილი საფონდო: 8505

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY7C1360C-166AXI

CY7C1360C-166AXI

ნაწილი საფონდო: 5593

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
S25FL164K0XBHI023

S25FL164K0XBHI023

ნაწილი საფონდო: 7011

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY7C144E-55JXCT

CY7C144E-55JXCT

ნაწილი საფონდო: 3313

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
S26KL256SDABHM030

S26KL256SDABHM030

ნაწილი საფონდო: 5618

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY14MB256J2-SXIT

CY14MB256J2-SXIT

ნაწილი საფონდო: 3638

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
CY7C1363D-133AXI

CY7C1363D-133AXI

ნაწილი საფონდო: 5681

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (512K x 18), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S25FL164K0XNFV010

S25FL164K0XNFV010

ნაწილი საფონდო: 9687

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY14ME256J2-SXIT

CY14ME256J2-SXIT

ნაწილი საფონდო: 4439

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
S25FL164K0XBHI020

S25FL164K0XBHI020

ნაწილი საფონდო: 50920

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S25FL164K0XNFI010

S25FL164K0XNFI010

ნაწილი საფონდო: 7064

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY7C144E-15AXI

CY7C144E-15AXI

ნაწილი საფონდო: 5980

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S34MS01G200BHI003

S34MS01G200BHI003

ნაწილი საფონდო: 6606

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY7C1303TV25-167BZC

CY7C1303TV25-167BZC

ნაწილი საფონდო: 7161

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
CY7C028AV-25AXCT

CY7C028AV-25AXCT

ნაწილი საფონდო: 9100

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი