მეხსიერება

S25FL132K0XBHI030

S25FL132K0XBHI030

ნაწილი საფონდო: 408

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
QMP25FL216K0PMFI010

QMP25FL216K0PMFI010

ნაწილი საფონდო: 3145

სასურველი
S34ML04G200BHI003

S34ML04G200BHI003

ნაწილი საფონდო: 754

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CG8414AA

CG8414AA

ნაწილი საფონდო: 7921

სასურველი
S34ML04G200TFI900

S34ML04G200TFI900

ნაწილი საფონდო: 794

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C1360C-200BGC

CY7C1360C-200BGC

ნაწილი საფონდო: 5767

სასურველი
S40410161B1B2W010

S40410161B1B2W010

ნაწილი საფონდო: 9784

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
S25FL064LABBHB023

S25FL064LABBHB023

ნაწილი საფონდო: 5270

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz,

სასურველი
CG8120AA

CG8120AA

ნაწილი საფონდო: 7876

სასურველი
CG8317AA

CG8317AA

ნაწილი საფონდო: 7836

სასურველი
IS29GL512S-11DHV02-TR

IS29GL512S-11DHV02-TR

ნაწილი საფონდო: 5406

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29GL256N90TFAR10

S29GL256N90TFAR10

ნაწილი საფონდო: 4463

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
S34ML08G201BHV003

S34ML08G201BHV003

ნაწილი საფონდო: 4972

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S70GL02GP11FFIR22

S70GL02GP11FFIR22

ნაწილი საფონდო: 2711

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

სასურველი
CY62157H30-45BVXAT

CY62157H30-45BVXAT

ნაწილი საფონდო: 146

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
FM24V05-G

FM24V05-G

ნაწილი საფონდო: 5441

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
CR231-80029

CR231-80029

ნაწილი საფონდო: 5498

სასურველი
S34ML08G201TFI003

S34ML08G201TFI003

ნაწილი საფონდო: 847

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CG8071AA

CG8071AA

ნაწილი საფონდო: 5781

სასურველი
S99-50289

S99-50289

ნაწილი საფონდო: 2711

სასურველი
S29PL127J70BAW000

S29PL127J70BAW000

ნაწილი საფონდო: 7362

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S99FL164KMM10

S99FL164KMM10

ნაწილი საფონდო: 5184

სასურველი
S25FL129P0XMFV000M

S25FL129P0XMFV000M

ნაწილი საფონდო: 7748

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S25FL132K0XNFIQ13

S25FL132K0XNFIQ13

ნაწილი საფონდო: 584

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S70FL01GSAGMFV010

S70FL01GSAGMFV010

ნაწილი საფონდო: 4447

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S29WS128N0LBFW010

S29WS128N0LBFW010

ნაწილი საფონდო: 3180

სასურველი
S25FL132K0XNFI010

S25FL132K0XNFI010

ნაწილი საფონდო: 74728

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S26KS256SDGBHN030

S26KS256SDGBHN030

ნაწილი საფონდო: 5466

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S71KS512SC0BHV000

S71KS512SC0BHV000

ნაწილი საფონდო: 2279

სასურველი
S99PL127J0110

S99PL127J0110

ნაწილი საფონდო: 2652

სასურველი
S34ML04G104BHV010

S34ML04G104BHV010

ნაწილი საფონდო: 4698

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34MS04G100TFI000

S34MS04G100TFI000

ნაწილი საფონდო: 6016

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S34ML02G200TFB003

S34ML02G200TFB003

ნაწილი საფონდო: 11454

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C024E-25AXCT

CY7C024E-25AXCT

ნაწილი საფონდო: 3855

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (4K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34ML01G200BHI003

S34ML01G200BHI003

ნაწილი საფონდო: 2331

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C131E-55JXCT

CY7C131E-55JXCT

ნაწილი საფონდო: 3296

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Kb (1K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი