მეხსიერება

S26KS512SDGBHV030

S26KS512SDGBHV030

ნაწილი საფონდო: 4679

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CG8264AAT

CG8264AAT

ნაწილი საფონდო: 7572

სასურველი
S26KS512SDGBHB030

S26KS512SDGBHB030

ნაწილი საფონდო: 4682

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S70GL02GP11FAIR12

S70GL02GP11FAIR12

ნაწილი საფონდო: 2674

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

სასურველი
S25FL164K0XMFIQ11

S25FL164K0XMFIQ11

ნაწილი საფონდო: 643

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S99GL032AB

S99GL032AB

ნაწილი საფონდო: 3432

სასურველი
CY7C1354CV25-166BZC

CY7C1354CV25-166BZC

ნაწილი საფონდო: 5365

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
S99FL008A0LMFI003

S99FL008A0LMFI003

ნაწილი საფონდო: 3315

სასურველი
CY62157H30-45BVXA

CY62157H30-45BVXA

ნაწილი საფონდო: 132

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S26KS256SDPBHN020

S26KS256SDPBHN020

ნაწილი საფონდო: 5536

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
S29GL01GT13TFNV10

S29GL01GT13TFNV10

ნაწილი საფონდო: 4856

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
IS29GL128S-10DHV02

IS29GL128S-10DHV02

ნაწილი საფონდო: 5322

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL132K0XMFI040

S25FL132K0XMFI040

ნაწილი საფონდო: 378

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CG8268AAT

CG8268AAT

ნაწილი საფონდო: 7543

სასურველი
CG8100AAT

CG8100AAT

ნაწილი საფონდო: 447

სასურველი
S29GL01GT11DHB020

S29GL01GT11DHB020

ნაწილი საფონდო: 164

სასურველი
CG7825AAT

CG7825AAT

ნაწილი საფონდო: 7865

სასურველი
S70PL254J00BFWA20B

S70PL254J00BFWA20B

ნაწილი საფონდო: 2787

სასურველი
S30ML256P30TFI003

S30ML256P30TFI003

ნაწილი საფონდო: 7741

სასურველი
S29GL01GP11FAIR12

S29GL01GP11FAIR12

ნაწილი საფონდო: 2505

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
S70FL01GSDPBHVC10

S70FL01GSDPBHVC10

ნაწილი საფონდო: 722

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 66MHz,

სასურველი
S99PL127J0170

S99PL127J0170

ნაწილი საფონდო: 2620

სასურველი
FM25V20A-DGTR

FM25V20A-DGTR

ნაწილი საფონდო: 5568

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
S29WS128N0PBFW013

S29WS128N0PBFW013

ნაწილი საფონდო: 3248

სასურველი
CY7C1024DV33-10BGXIT

CY7C1024DV33-10BGXIT

ნაწილი საფონდო: 5403

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 3Mb (128K x 24), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
IS29GL256S-10DHV01-TR

IS29GL256S-10DHV01-TR

ნაწილი საფონდო: 5344

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV18LL-55BVXI

ნაწილი საფონდო: 5456

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
S34MS01G100BHI003

S34MS01G100BHI003

ნაწილი საფონდო: 766

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY62162G30-45BGXIT

CY62162G30-45BGXIT

ნაწილი საფონდო: 5432

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (512K x 32), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY62162G18-55BGXIT

CY62162G18-55BGXIT

ნაწილი საფონდო: 5403

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (512K x 32), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CG8315AA

CG8315AA

ნაწილი საფონდო: 7970

სასურველი
S25FL032P0XNFI001M

S25FL032P0XNFI001M

ნაწილი საფონდო: 4600

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S70GL04GS00FHCR20

S70GL04GS00FHCR20

ნაწილი საფონდო: 7681

სასურველი
S25FL116K0XNFI010

S25FL116K0XNFI010

ნაწილი საფონდო: 285

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S29WS256N0LBFW012

S29WS256N0LBFW012

ნაწილი საფონდო: 3302

სასურველი
P770040CFWC071 XF

P770040CFWC071 XF

ნაწილი საფონდო: 3118

სასურველი