მეხსიერება

S34ML02G200BHV000

S34ML02G200BHV000

ნაწილი საფონდო: 6897

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S29GL01GS11DHB010

S29GL01GS11DHB010

ნაწილი საფონდო: 2714

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1356C-250AXC

CY7C1356C-250AXC

ნაწილი საფონდო: 5595

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (512K x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
S34MS01G200BHA000

S34MS01G200BHA000

ნაწილი საფონდო: 6981

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S29CD016J0MQAM010

S29CD016J0MQAM010

ნაწილი საფონდო: 4631

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (512K x 32), საათის სიხშირე: 56MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S40410081B1B2W000

S40410081B1B2W000

ნაწილი საფონდო: 5364

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
S34MS04G200BHB003

S34MS04G200BHB003

ნაწილი საფონდო: 6790

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S34MS01G204BHA010

S34MS01G204BHA010

ნაწილი საფონდო: 5296

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S25FL164K0XNFV013

S25FL164K0XNFV013

ნაწილი საფონდო: 3701

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S34ML02G200TFI000

S34ML02G200TFI000

ნაწილი საფონდო: 10429

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S29PL032J60BFI120

S29PL032J60BFI120

ნაწილი საფონდო: 16079

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (2M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL064P0XMFV000

S25FL064P0XMFV000

ნაწილი საფონდო: 4187

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S29AL008J70YEI019

S29AL008J70YEI019

ნაწილი საფონდო: 3176

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S29CL032J0JQAI000

S29CL032J0JQAI000

ნაწილი საფონდო: 4616

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (1M x 32), საათის სიხშირე: 40MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL116K0XMFV010

S25FL116K0XMFV010

ნაწილი საფონდო: 4287

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY14B101LA-BA25XIT

CY14B101LA-BA25XIT

ნაწილი საფონდო: 4978

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34ML04G200BHV000

S34ML04G200BHV000

ნაწილი საფონდო: 5143

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL164K0XMFV010

S25FL164K0XMFV010

ნაწილი საფონდო: 4544

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY14E256LA-SZ25XIT

CY14E256LA-SZ25XIT

ნაწილი საფონდო: 4995

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34ML02G104TFI013

S34ML02G104TFI013

ნაწილი საფონდო: 4862

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34MS08G201BHI000

S34MS08G201BHI000

ნაწილი საფონდო: 3596

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S29PL127J70TAI130

S29PL127J70TAI130

ნაწილი საფონდო: 4932

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S99GL128S0110

S99GL128S0110

ნაწილი საფონდო: 4059

სასურველი
S40410081B1B1I000

S40410081B1B1I000

ნაწილი საფონდო: 9833

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
CG7985AAT

CG7985AAT

ნაწილი საფონდო: 343

სასურველი
S25FL116K0XMFI010

S25FL116K0XMFI010

ნაწილი საფონდო: 230

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S25FL132K0XBHI020

S25FL132K0XBHI020

ნაწილი საფონდო: 278

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S70GL02GP13FFIV20

S70GL02GP13FFIV20

ნაწილი საფონდო: 2653

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

სასურველი
S29PL127J70TAI130H

S29PL127J70TAI130H

ნაწილი საფონდო: 2685

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128M (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S26KS512SDPBHV020

S26KS512SDPBHV020

ნაწილი საფონდო: 4740

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
FM25V10-PG

FM25V10-PG

ნაწილი საფონდო: 6530

სასურველი
S99-50263

S99-50263

ნაწილი საფონდო: 4646

სასურველი
S25FL032P0XMFV013M

S25FL032P0XMFV013M

ნაწილი საფონდო: 4592

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY14B256LA-SZ25XIT

CY14B256LA-SZ25XIT

ნაწილი საფონდო: 5506

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S34MS02G100BHI003

S34MS02G100BHI003

ნაწილი საფონდო: 937

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S99FL116K0XMFI043

S99FL116K0XMFI043

ნაწილი საფონდო: 4708

სასურველი