პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 48000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 1536, კარიბჭეების რაოდენობა: 144000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 6.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 512, კარიბჭეების რაოდენობა: 48000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 1536, კარიბჭეების რაოდენობა: 144000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 20.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) Flash, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 3072, კარიბჭეების რაოდენობა: 288000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 3072, კარიბჭეების რაოდენობა: 288000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 256,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 12.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 64,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 512,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.75V ~ 5.25V, მაკროცელების რაოდენობა: 192,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 8.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 192,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 768, კარიბჭეების რაოდენობა: 72000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 32,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 10.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 3V ~ 3.6V, მაკროცელების რაოდენობა: 128,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 7.5ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 2.5V, 3.3V, მაკროცელების რაოდენობა: 1536, კარიბჭეების რაოდენობა: 144000,
პროგრამირებადი ტიპი: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, შეფერხების დრო tpd (1) მაქს: 15.0ns, ძაბვის მიწოდება - შიდა: 4.5V ~ 5.5V, მაკროცელების რაოდენობა: 192,
